محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

[Mr.designer]

سلام خدمت همه دوستان گرامی

از دوستانی که در این زمینه اطلاع دارند خواهش میکنم راهنمایی بفرمایند.

مثلا من میخواهم 10 تا ماسفت IRFZ44N رو راه اندازی کنم.نحوه ی محاسبه جریان گیت و مقاومت گیت و..

پارامترهایی که روی محاسبه جریان گیت این ماسفت به نظرم تاثیر داره رو با یه کادر قرمز مشخص کردم :



ممنون میشم از دوستان اگر کسی راهنمایی کند..

:nerd:

[عباس جبراییلی]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

برای محاسبه مراحل زیر را داریم.
I=dQ/dt این فرمول جهت محاسبه جریان گیت است که در ان جریان مساوی است با تغییرات بار در زمان.یعنی چنان جریانی به گیت باید تزریق شود تا در زمان t on ماسفت را روشن کند از جدول ton=12+60=72ns و q=60nc حا جریان برابر است با 60/72=0.83 امپر اگر ولتاز گیت را 10 ولت در نظر بگیریم مقاومت ان برابر است با 10/0.83=12 اهم یعنی حداکثر مقاومت یک گیت برابر است با 12 اهم و شما نباید خیلی کمتر و یا خیلی بیشتر از این مقاومت را در گیت بگذارید اگر بیشتر باشد ماسفت با تاخیر روشن و با تاخیر خاموش میشود و مقدارکمی تلفات بیشتر خواهد شد و اگر خیلی کم بگذارید مسایل دیگری که خیلی بحث مفصلی دارد پیش میاید(مربوط به نویز-EMI-di/dt-..). البته این جریان بصورت پیک و لحظهای است که باید خازنهای متصل به VCC قادر به تحویل 8.3 امپر در زمان 72 نانو ثانیه باشند بهمین جهت باید دارای ESR خیلی پایینی باشد که معمولا از با خازنهای الکترولیت VCC پارالل میشود و نزدیک خروجی درایور نصب میشود از جنس MKT ,ویا تانتالیوم ودر ظرفیت پایین حداکثر 1 میکرو.کال شما با اتصال سورسها و درینها به یکدیگر بصورت مستقیم و گیتها با مقاومت میتوانید انها را پارالل کنید و لزومی ندارد که یک منبع تغذیه 8 امپر 10 ولت استفاده کنید چون همانطور که گفته شد ان جریان از خازنها کشیده خواهد شد ونه از تغذیه.

[Mr.designer]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

سلام

دوست عزیز خیلی استاد گلی هستی :mrgreen: (کلی ذوق کردم)

باور کنید از هر کسی در اطرافم میپرسیدم هی میگفتن برو دیتاشیت رو ببین و ظرفیت خازن گیت رو ببین و از این حرفا..خودمم چند تا کتاب رو دیده بودم و به یه سری فرمول رسیده بودم..

اما شما خیلی خوب راهنمایی کردین و من واقعا ممنونم.. :nerd:

حالا من یه مثال بزنم شما اگر ممکنه نظرتون رو بیان کنید :

من ماسفت IRFP260 رو در نظر میگیرم :

طبق جدول Qg برابر است با 234nc و Turn on delay + Rise Time میشه 77ns

بنابرین جریان بدست میاد 3 امپر oo:

حال اگر من بخواهم با 12 ولت گیت رو روشن کنم مقدار مقاومت گیت میشه 4 اهم و 36 وات !

حالا به نظر شما مقاومت گیت مطلوب چقدر میتونه باشه که عمل شارژ گیت به صورت مطلوب انجام بشه ؟ اخه معمولا دیدم که مقاومت گیت ها رو 0.25 و 0.5 وات میزارن..

و یه سوال دیگه(ببخشید زیاد شد)

اگر ما بخواهیم مثلا 10 تا از اینها رو راه بندازیم جریان میشه 30 امپر در 77ns - به نظر شما اگر از یه گیت درایور متوسط TC442x استفاده کنم و بعد با استفاده از دو ترانزیستور PNP , NPN که به صورت کامپیلیمنتاری :mrgreen: بسته شده اند اونها هم هر کدوم 25 امپر به نظر شما میشه چند تا ماسفت رو راه اندازی کرد ؟(به فرض اینکه از خازنهای Low Esr استفاده کنیم).
کلا قوانینی برای بهبود محاسبات به روش عملی وجود داره ؟



یه دفعه هم یکی از دوستانم میگفت که برای اینکار چون گیت زیاد جریان میکشه با پالس اول گیت رو تحریک نمیکنن ! یعنی مقاومت رو بیشتر در نظر میگیرن تا گیت کامل تحریک نشه و بعد از چند پالس روشن میشه که من منظورشو نفهمیدم ! به نظر شما اینکار درسته ؟

در نهایت ببخشید که وقتتون رو گرفتم. :redface:

[عباس جبراییلی]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

دوست عزیز همانطور که خودتان حساب کرده اید مقاومت میشود 4 اهم اولا چون 4 اهم در رنج استاندارد نمیباشد مقدار 3.9 اهم را در نظر میگیریم-دوم اینکه جریانت محاسبه شده برای 1 ماسفت 3 امپر میباشد و این جریان پیک است یعنی در مدت زمان 77 نانو ثانیه چنین جریانی از خازنهای VCC کشیده میشود و توان مورد نیاز برای مقاومت 4 اهم برابر است(شارژودشارژ) ton+toff+tr+tf)xIxIxRxf); که کمتر از 0.1 وات میشود حال اگر 10 عدد پارالل شوند جریان پیک میشود 30 امپر مقدار متوسط این جریان میشود در حدود ton+toff+tr+tf)xIxF) ;که اگر فرکانس را مثلا 50 کیلو در نظر بگیریم در حدود 0.3 امپر میشود.واگر جریان مدار کنترل را هم مثلا 0.2 امپر در نظر بگیریم تغذیه مدار باید قابلیت جریان دهی مداوم حدود 0.5 امپر را داشته باشد. و اما ترانزیستورهای مدار درایور -در اینجا اگر دقت کنید متوجه میشوید که جریان پیک 30 امپر در زمان 77 نانو ثانیه اعمال میشود حال شما باید از روی منحنی ترانزیستورها که در ان جریانهای پیک با دیوتی سایکل نمایش داده شده است را نگاه کنید و ببینید که ایا قادر است چنان جریانی را تامین کند یا نه-دمای طراحی را نیز در بد ترین حالت حدود 80 درجه در نظر میگیریم و منحنی توان- دما را مد نظر قرار میدهیم.برای سادگی محاسبات بهتر است از نرم افزار orcad جهت شبیه سازی استفاده کنید که خیلی دقیق است.و در ان میتوانید مقدار توان ویا هر پارامتر دیگری را نیز محاسبه کرده و سپس شبیه سازی نمایید تا از حصول کار خود اطمینان یابید.من خودم تمامی مراحل را با ان شبیه سازی کرده و سپس طراحی و ساخت منمایم و نتایج ان با عمل خیلی مطابقت دارد.حتی محاسبات مربوط به هسته و.....در ظمن شما بمن بگو که از جه ترانزیستور و چه فرکانسی استفاده مینمایی تا محاسبه شود.تا یادم نرفته این را هم اضافه کنم که در مدار درایورتان همان مقاومت روی گیت کافی است و بهتر است مقاومتهای روی امیتر ها را بردارید.

[Mr.designer]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

سلام استاد عزیز..ببخشید که وقتتون رو میگیرم.. :redface: :nerd:

من العان حساب کردم..احتمالا من 36 تا از همین 260 هارو میخواهم موازی کنم(چون توان برگشتی دارم حدودا 10 کیلووات ماکزیمم) از لحاظ بخش قدرت PCB مشکلی نیست و خیالم از اون بابت راحته و فقط العان روی بحث درایو کردن ماسفتها دارم کار میکنم.

حالا با اجازه یه سری سوال میپرسم در این زمینه..

1-شما اگر جای من بودین - هر 36 تارو با اون توپولوژی totem-pole درایو میکردین یا هر چند تا رو با هم ؟

2-اگر من بخواهم هر 36 تارو با یک خروجی راه بندازم با احتساب محاسبات قبلی میشه 36 تا 3 امپر که میشه حدودا 110 امپر در 77ns

3-حالا متوسط این جریان رو محاسبه میکنیم (فعلا در فرکانس 10 کیلوهرتز) :

77ns+180ns * 110 * 10khz که امیدوارم اشتباه نکرده باشم و میشه 0.2 امپر که خیلی به نظرم خوب میاد :mrgreen: درسته ؟

متاسفانه من دیتاشیت دو ترانزیستور رو نگاه کردم ولی به نموداری که شما فرمودین برنخوردم..مثلا TIP36 میتونه Continues جریان 25 امپر و Peak حدود 50 امپر رو بده که این پیک در پهنای پالس 10میلی ثانیه و Duty Cycle = 10% میباشد.البته همین العان به دیتا شیت همین قطعه مربوط به موتورولا نگاه کردم و دیدم یه سری نمودارهایی برحسب زمان و جریان کلکتور داره..
شما میتوانید به من یه ترانزیستور پیشنهاد کنید که از پس درایو این جریان بر بیاد ؟ :redface:

و ایا همون یک عدد خازن تانتالیوم 1 میکرو جواب این جریان رو میده ؟ میتونم یک خازن MKT با ظرفیت 100 نانو هم باهاش موازی کنم ؟

4-استاد ببخشید یه سری مدارات جانبی هم معمولا استفاده میکنند که سرعت سوئیچینگ رو بهبود میده..میخواستم نظرتون رو در این باره بپرسم..
-دیود شاتکی Small Signal برعکس - موازی با مقاومت گیت
-دیود زنر خروجی گیت درایور قبل از مقاومت گیت - دیود زنر یک جهته 15 ولت
-مقاومت Pull-Down بین گیت و سورس حدودا 10 کیلو اهم

و در اخر نظرتون در مورد استفاده از ماسفت بجای ترانزیستور تو درایور چیست ؟ شبیه به این :



استاد شرمنده من تا حالا با Orcad کار نکردم و پروتئوس کار کردم..ولی سعی میکنم یاد بگیرم..
امیدوارم زودتر این قضیه به پایان برسه..من انقدر شمارو اذیت نکنم.. :sad:

[عباس جبراییلی]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

حالا صورت مسئله به کل عوض شدمن فکر میکنم در یک جاهایی داری اشتباه میکنی.1-اولا این چه مداری است که شما باید 36 تا ماسفت رو با هم پارالل کنی چون از نظر استاندارد بودن خیلی خیلی عجیب است حقیقتا من در عمر کاری ام چنین چیزی ندیده ام که 36 ماسفت با هم پارالل کنندالبته مثلا 6 تا دیده ام ولی 36 تا هرگز-میدانی چرا چنین کاری نمیکنند؟چون 1-حجم مدار خیلی زیاد میشود دوما احتمال خرابی و سوختن مدار در حین کار بدلیل مسئله فرار حرارتی Rdsonبسیار بالا میرود 3-نویز پذیری و تولید نویز نیز بالا خواهد بودو شما نمیتوانید حالا خاطرم نیست ولی بیشتر از چند ماسفت را با هم موازی کنید.ولی اگر چاره ای جز این کار ندارید باید گفت انها را باید طوری تقسیم کنید که مسیر درایوها یکسان و کوتاه باشد-ومسیر جریان درینها طوری طراحی شود که جریان عبوری از انها نویز زیادی تولید نکند تا برای مدار کنترلتان دردسر ساز شود بنابراین میبینید که تقسیم بندی انها و اینکه چه تعداد با هم باشند کار ساده ای نیست و بستگی زیادی به ارایش چیدن قطعات دارد.2و برای این تعداد نباید چنین کاری کرد-در فرکانس زیر 30 کیلو هرتز بجای ماسفت از ترانزیستور استفاده میشود زیرا تلفات ان بمراتب کمتر از ماسفت میباشدو در توانهای بالا تر بدلیل نبودن ترانزیستور در چنان توانهایی از آی جی بی تی استفاده میشود البته اگر نوع کاربردتان را مشخص نمایید بهتر میتوان اظهار نظر کرد.ولی ترجیحا شما میتوانید انها را به 6 گروه 6 تایی تقسیم کرده و برای هر گروه از ترانزیستورهای سری BD استفاده نمایید البته خازن موازی با مقاومت بیسها فراموش نشود-شما نمیتوانید از هر ماسفتی در totempl استفاده نمایید زیرا با افتادن ولتاژ درایو به زیر 4 ولت انها قطع نشده و دران ناحیه بصورت خطی عمل میکنند باید ماسفتی استفاده نمایید که ولتاژ treshold ان کمتر از 1.5 ولت باشد.البته در مورد خازن نیز علاوه بر خازنهای الکترولیت VCC خازن 3.9 میکروتانتالیوم و 100نانو موازی با ان بله.دیود شاتکی بر عکس با این نوع درایور لزومی ندارد .در عوض دیود 15 ولتی موازی با گیت درایور جهت حفاظت ضروری میباشد.در مورد مقاومت نیز بله انهم جنبه حفاظتی دارد.ای سی درایور مذکور فرمانها معکوس خواهد کرد.و توانایی درایو مدارات شما را نداردC-load ان حداکثر10 نانو میباشد.

[ebismps]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

با سلام.حضور دوستان- یک نکته کوچک رو هم در نظر داشته باشید:همواره سرعت خاموش شدن یک Mosfet وIGBTباید بیشتر از سرعت روشن شدنش
باشه.دلیل اونهم کاهش dv/dt درهنگام روشن شدن وافزایش dv/dt درهنگام خاموش شدنه.درمجموع این عمل باعث کاهش تلفات سوئیچینگ در قطعه
میشود.بهمین دلیل مقاومت Ron خیلی بیشتر از مقاومتRoff (مقاومت+دیود موازی باRon)انتخاب میشود.در لینک زیر انواع روشهای سوئیچ شرح داده شده است.

http://rapidshare.com/files/322540521/0_1-0_2.pdf.html
http://rapidshare.com/files/322540850/0_3.pdf.html
موفق باشید.

[baby_1]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

آقا مقاله قابل دانلود نیست!

[seyyed abbas]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

سلام
من یک ترانس فریت رو بصورت تمام پل می خوام با فرکانس 83 کیلو هرتز توسط 4 تا ماسفت irf1404 راه بندازم که در خروجی 550 rms داشته باشم
(البته در شکل بعد از خازن خروجی به اشتباه نوشتم 550 ولت که بجاش باید می نوشتم 770 ولت )
جریانی که اولیه ی ترانسم می کشه 117 دائم و به صورت لحظه ای شاید تا 234 آمپر هم بکشه ( منظورم از لحظه یعنی کمتر از 8 میلی ثانیه )
ولتاژ تغذیه باتری لیتیوم پلیمر با نرخ تخلیه ی بالاست و 11.1 ولت دو سر پل H میفته و با احتساب مقاومت 0.004 اهمی هر ماسفت و عبور 117 آمپر تقریبا 0.4 ولت افت ولتاژ روی درین_سورس داریم که نتیجتا 10 ولت دو سر اولیه ترانس میفته.

** *تو سایت بلد نبودم عکس بزارم، پلود کردم، لینک دانلود عکس ها و دیتاشیت:

http://uplod.ir/we11heoz4fo1/Schematic.zip.htm

سوالات من:
1. تو دیتا شیت ماسفت نامبرده اومده 162 آمپر رو به صورت مداوم و 560 آمپر لحظه ای می تونه عبور بده در حالی که این ماسفت هم هیکل رگولاتور 7805 هست. به نظر شما واقعا می تونه؟

2. من برای جریان 117 تا 234 آمپر در هر شاخه از مدار از یک ماسفت استفاده کنم کافیه؟ و اگر قرار باشه در هر شاخه از ماسفت های موازی بجای 1 ماسفت در هر شاخه استفاده کنم بهتر است چند ماسفت موازی باشد؟

3.ولتاژ گیت من از باتری لیتیوم پلیمر تامین می شود که در حالت کاملا شارژ 12.6 ولت، به طور متوسط 11.1 ولت و در بدترین حالت 9 ولت است. در محاسباتم برای مقاومت گیت کدوم ولتاژ رو لحاظ کنم؟

4.اگر ظرفیت خازن Vcc موازی با مقاومت گیت که از جنس MKT یا تانتالیم است بیشتر از 1 میکر انتخاب شود مشکلی پیش میاد؟

5. در پارالل کردن ماسفت ها برای گیت هر ماسفت باید مقاومتی جدا در نظر گرفته شود یا اینکه همه ی گیت ها رو به هم وصل کنیم و یک مقاومت، با توان متناسب با مجموع جریانی که برای گیت ماسفت ها ازش عبور می کنه بزاریم؟

6.اگر از آی سی درایوری مثل ICL7667 برای مدار شکل که در هر شاخش یک ماسفت داره استفاده کنم جوابگو هست؟ آی سی درایور بهتری کسی سراغ داره؟ اگر در هر شاخه چند ماسفت موازی داشته باشیم، چند تا آی سی درایور رو متناسب با جریان مورد نیاز ماسفت ها موازی کنیم چی؟ جواب می ده؟

7. دیود زنر قبل از مقاومت گیت چه رابطه ای باید با ولتاژ درایو گیت داشته باشه؟

طبق آموزش های استاد جبراییلی محاسباتم بصورت زیره، ممنون می شم چکش کنید:
مشخصات ماسفت:
Ton= Td(on)+Tr=17ns+140ns=157ns
Toff= Td(off)+Tf=72ns+26ns=98ns
Qg=200

محاسبات:

I=Qg/Ton=200/157=1.28 A
Rg=Vg/Ig=9/1.28=7.03
در محاسبه ی Rg من بدترین ولتاژ رو لحاظ کرم که 9 ولته و مقاومت استاندارد 6.8 رو انتخاب می کنم.

جریان متوسط برای هر ماسفت:
Iav=(Ton+Toff)*I*F=255ns*1.28*83000=0.027 A

توان متوسط مقاوت 6.8 گیت:
Pav=(Ton+Toff)*R*I*I*F=255ns*6.8*1.28*1.28*83000=0 .24 watt

این ها محاسبات مربوط به یک ماسفت بود و اگر بخوایم چند ماسفت رو با هم موازی کنیم به همین ترتیب:
- ابتدا جریان پیک که می شه مجموع جریان پیک هر ماسفت رو بدست میاریم
- بعد جریان متوسط رو از جریان پیک بدست میاریم
- واگر یک مقاومت برای چند گیت بخوایم استفاده کنیم، از جریان پیک حساب شده توان متوسط مقاومت رو حساب می کنیم

درسته؟ :wow:

[عباس جبراییلی]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

سلام-در رابطه با سوال یک و دو --این ماسفت نمیتواند چنین جریانی را بدهد و پایه های ان ذوب خواهد شد.با مطالعه این لینک دلیل ان به خوبی توضیح داده شده.http://www.mcmanis.com/chuck/robotic...FET-power.html
3-مقاومت مناسب در دیتا شیت 25 اهم داده شده
4-با مقاومت گیت خازنی موازی نمیشود.
5-مقاومت جدا برای هر گیت توصیه میشود.
6-برای ولتاژ 15 ولت و مقاومت گیت 25 اهم جریان پیک لحظه ای تقریبا برابر است با 15/25=0.6 امپر ای سی درایور شما باید بتواند چنین جریانس را بدهد که یک درایور 2 امپری تقریبا 4 عدد از این ماسفت را درایو میکند.
7-انتخاب زنر مناسب بستگی بستگی به مدار درایور دارد مثلا اگر درایور شما حداکثر ولتاژ قابل تحملش 15 ولت باشد شما نمیتوانید از زنر 18 ولتی استفاده کنید و بهتر است از زنری با ولتاژ حداکثر 15 ولت استفاده کنید.البته معنی ان این نیست که از زنر 10 ولت هم بتوانید استفاده کنید و باید ببینید که ماسفت ما با چه ولتاژی در حداکثر جریان دارای تلفات کمتری است.و نگاهی هم با مدار درایور باید داشته باشید که ببینید حداکثر ولتاژ قابل تحمل ان چقدر است.لذا هر درایوری را برای هر ماسفتی نمیتوانید استفاده کنید.

[seyyed abbas]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

ممنون از راهنماییتون استاد جبراییلی

1. در مورد جواب 4 حق با شماست، موازی نمی شه. از کم دقتیم بود ... ممنون از توجهتون

2. در مورد آی سی درایور ICL7667 مثلا اومده تو دیتاشیتش که در شرایطی که بار خازنی 1000Pf باشه تقریبا 30ns رایزتایمشه. در شرایطی که مثلا ماسفت IRF1404 خازن ورودی گیتش 7360Pf هست چطور می شه حساب کرد یا تقریب زد که رایزتایم درایور چقدر افزایش پیدا می کنه؟

3. تو دیتاشیت درایور ICL7667 هر خروجیش فقط 200 میلی آمپر مداوم می تونه تامین کنه (صفحه 8 دیتا شیت). استاد جبراییلی شما جریان پیک گیت ماسفت رو 0.6 آمپر حساب کردید که متوسطش در فرکانس 83 کیلو می شه تقریبا 0.013 آمپر. با این حساب می تونم از این درایور استفاده کنم؟

دیتا شیت ICL7667:
http://uplod.ir/ygx1thns3me5/ICL7667.pdf.htm

[عباس جبراییلی]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

محاسبه حدود رایز تایم بستگی به ولتاژ تغذیه دارد --اگر انرا 15 ولت فرض کنیم برای شارژ خازن با ظرفیت 7360 پیکو فراد و جریان 0.6 امپر از روی فرمول cdv/dt=i داریم 7360px15/0.6=184n یعنی چیزی حدود 6 برابر افزایش میابد ولی نکته مهم این است که رایز تایم بستگی به شرایط مدار دارد یعنی شما نمیتوانید انرا خیلی کم و یا خیلی زیاد در نظر بگیرید.بلکه مشخصه سوییچها انرا تعیین میکند.یعنی تلفات-نرخ تغییرات ولتاژ-نرخ تغییراتت جریان-ولی برای کارهای معمولی همان زمان سوییچ را در نظر بگیرید.این ای سی نمیتواند جریان پیک 0.6 امپر را از خود عبور بدهد و زیر بار خواهد ماند و زمان صعود افزایش پیدا خواهد کرد-لذا بهتر است انرا با یک طبقه توتم پل تقویت نمایید.و یا از یک ای سی با جریان بالاتر استفاده نمایید که فکر کنم مقرون به صرفه نباشد.

[seyyed abbas]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

ممنون از جواب کامل و روانتون استاد
به نظرتون برای تغذیه ی گیت ماسف هام موقع سوئیچ کردنشون از همون باتری لیتیم پلیمر که ترانسو تغذیه می کنه استفاده کنم یا بهتره از باتری جدا استفاده کنم؟
خودم فک می کنم باتری جدا باشه بهتره چون وقتی ترانس اون جریان وحشتناک رو از باتری می کشه افت ولتاژ شدیدی ایجاد می شه و چیزی برای سوئیچ ماسفت ها نمونه
درسته؟

[عباس جبراییلی]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

تغذیه قسمت کنترلر باید دارای ولتاژ ثابتی باشد تا بتواند در لحضه های گذرا بدرستی عمل نماید و فرمان گیت مناسب یعنی دامنه ولتاژ کافی به ماسفتها بدهدزیرا اگر دامنه ولتاژ گیت کافی نباشد ماسفتها وارد ناحیه خطی شده و خواهند سوخت.بهترین روش استفاده از یک مبدل دی سی به دی سی که ورودی ان همین باطریها باشد است.

[seyyed abbas]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

منظورتون از مبدل دی سی آی سی های مبدل دی سی اند؟ یا باید برای اون هم مدار بست؟
تنها آی سی ای که من می شناسم همین ICL7667 که خب جریان خروجیش باز کمه ( صفحه 8 دیتاشیتش دوبلر ولتاژ آی سی رو کشیده)
آی سی مبدل دی سی بهتری سراغ دارید؟