اطلاعیه

**induct** · 2008-01-17T00:13:27

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

به نام خداوند بخشنده ی مهربان
فصل اول

موضوع :ساختار N-CHANAL-IGBT

IGBT یک ترانزیستور قطبی می باشد که فرمان اعمال شده به آن توسط پایه GATE انجام می شود از دیدگاه خروجی مانند ترانزیستور قطبی است و از دیدگاه ورودی ویژگی های
FET را دارد . پایه ی گیت از دو صفحه فلزی رسانا تشکیل شده این صفحه ها جهت ایجاد میدان های الکترو استاتیکی به کار می روند.سطح این صفحات توسط لایه ی نازکی از
اکسید سیلیکون پوشانده شده است وهر یک از این صفحات عایق به سه نیمه هادی در
ساختار داخلی IGBT متصل شده است.دو نیمه هادی نوع N و یک نیمه هادی نوع P .
توسط اتصال این دو صفحه ی عایق به نیمه هادی ها شش ساختار خازنی به وجود می آید شرط عملکرد این ترانزبستور این است که دو صفحه ی گیت به صورت مثبت شارژ شوند.که در این صورت باعث ایجاد دو تاثیر عمده درداخل IGBT می گردد.
اتصال صفحه ی GATE به نیمه هادی نوع P : با اعمال پتانسیل مثبت به گیت صفحات گیت به صورت مثبت شارژ می شوند حامل های اکثریت در نیمه هادی نوع P نیزحفره ها می باشند وماهیت این نیمه هادی نیز به صورت ماده ای است که فقدان الکترون دارد واین عامل باعث ایجاد میدان های الکترو استاتیکی بین صفحه ی گیت ونیمه هادی نوع P میگرددو درنتیجه نیروی جاذبه میان الکترون های شارژ شده در گیت و حفره ها در نیمه هادی نوع P یون های مثبت در نزدیکی گیت جمع می شوند.
اتصال صفحه ی gate به نیمه هادی نوع n:حامل های اکثریت در نیمه هادی نوع n الکترون ها می باشند درنتیجه این نیمه هادی دارای یون منفی می باشد که دارای الکترون مازاد است حال با شارژ کردن صفحات گیت به صورت مثبت بار های الکتریکی شارژ شده بر روی صفحه ی گیت باعث دفع شدن الکترون ها در قسمت اتصال خازنی میگردد
پایه ی امیتر : در این ترانزیستور پایه ی امیتر به سه نیمه هادی اتصال پیدا کرده است
یکی از این نیمه هدی ها نوع n ودوتای دیگر نیمه هادی نوع p میباشند که نیمه هادی نوع
P جهت عبور جریان بار استفاده می شود و نیمه هادی های نوع p جهت عبور جریان تحریک فرمان عملکردی ترانزیستور استفاده می گردد.
پایه ی کلکتور: این پایه نیز به یک نیمه هادی نوع p متصل می گردد. نیمه هادی های قرار گرفته بین دو پایه ی کلکتور و امیتر به صورت pnp میباشد.

**induct** · 2008-01-17T00:26:11

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

از کاربرانی که این پست بازدید کردن خواهش می کنم نظرات خودشون رو سوالات و پاسخ هاشون
وهمچنین اطلا عات تکملی خودشون رو برای ما ارسال کنن
متشکرم از شما :agree: :wow: :agree:

**Reza Khan** · 2008-01-17T03:52:40

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

سلام آقای سلف
اینجور که بوش میاد فقط من تو به power electronic علاقه داریم و بقیه کلا با چیزی غیر از میکرو کنترلر حال نمیکنند.حالا اگه پستت در مورد روبات بود صفحات زیادی جواب داشتی اما من به دوستان باید بگم الکترونیک فقط میکروکنترلر و برنامه نویسی نیست شما به پست ها و جوابها دقت کنید حتی همین پست این بنده خدا در تنهایی وغریبی کامل داره روی یکی از قطعات که فکر میکنم خیلی ها باهاش مشکل دارن بحث میکنه اما دریغ از یه جواب .(قابل توجه مدیران سایت که فکری کنن که پایه الکترونیک بچه ها قوی شه تا انشالله وقتی فردا وارد صنعت و بازار شدن دردی از این جامعه رو دوا کنن)
به هر حال گلگی بسته دوست عزیز من فکر میکنم خیلی تو بحت فیزیک الکترونیکش نرو فقط به صورت گذراوسعی کن بیشتر کاربردی واستفاده از آن در سوئیچ های مختلف رو مطرح کنی.اینجوری من فکر میکنم زحمتی که داری میکشی نتایج بهتری داره.
شاد باشی

**induct** · 2008-01-17T08:30:45

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

دوست عزیز خیلی ممنون از پیغامت
یک پیشنهاد از بحث شما برداشت می کنیم
اینکه درایو کردن igbt دارای یک سری مشکلات است
در نتیجه پس از چند فصل که در مورد مبانی ساختاری این قطعه بحث شد
حتما در مورد نحوه ی درایو کردن ومشکلات سوییچینگی این قطعه مفصل بحث خواهد شد
متشکرم در این بحث مشارکت کنید :agree:

**induct** · 2008-01-19T17:33:58

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

خیلی ممنون از همراهی تک تک شما :cry:
یعنی این قدر سخت همکاری توی این کار :cry2:
با نوشتن حتی یک نظر کوتاه ما رو خوشحال کنید

**امیرعلی بلورچیان** · 2008-01-19T20:54:15

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

فکر کنم بهترر باشه در کنار این کار چند کتاب و رفرنس مناسب براش معرفی کنید.
چون این مورد زیاد تو دانشگاه ها بحث نمیشه البته من الکترونیک هستم و اطلاعات دقیقی ندارم .... ولی فکر کنم 1 کتاب فقط برای igbt دیده بودم میتونید سرچ کنید اسمشون رو بیابید منم اگر تونستم لینک دانلود اونها رو پیدا میکنم

**Reza Khan** · 2008-01-19T21:27:43

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

سلام
بالاخره اینقدر اصرار کردیم که یکنفر دیگه رو علاقمند کردیم :wow: :wow: :wow:.دوست عزیز منم الکترونیک هستم ولی مخلص همه زمینه هاش هستم بالاخص میکرو ولی میکرویی که نتوانی ازش تو صنعت استفاده کنی از دستت ناراحت میشه :rolleyes:.
از بابت مقاله من یه سری اطلاعات upload کردم که فکر میکنم براتون جالب باشه:
http://www.4shared.com/file/35299829/f564ad5f/AN-9016.html
http://www.4shared.com/file/35299848/d4393a4f/APT0201.html
http://www.4shared.com/file/35299874/f6a225a7/APT0408.html
http://www.4shared.com/file/35299696/8cb1440f/choosewisely.html
http://www.powerdesigners.com/InfoWeb/design_center/articles/IGBTs/igbts.shtm
خدا وکیلی سرعت پاسخ رو حال کردی.

**زوار** · 2008-01-20T18:55:26

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

این قسمت را امروز دیدم واقعا مفید بود فقط مطالب 4ساشقث دانلود نمیشه من درباره igbt مقاله دارم حتما پلود میکنم

**زوار** · 2008-01-21T19:44:46

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

این یک مقاله انگلیسی درباره igbtامیدوارم مفید باشهhttp://www.2shared.com/file/2747294/1c0e2bf1/an-978.html

**induct** · 2008-01-21T20:52:44

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

من بقیه ی مقاله رو می فرستم........ :nerd:
فقط تمام عکسها حذف شده
در اولین فرست اونها رو هم می فرستم

**induct** · 2008-01-21T20:54:17

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

فصل دوم: بررسی مدارهای معادل برای IGBT

به طورکلی المان های الکتریکی که برای بررسی مدار داخلی igbt می توانند مورد استفاده قرار گیرند عبارتند از مقاومت های اهمی خازن ها دیود ها ترانزیستور npn وmosfet

مقاومت اهمی در ساختار igbt :هر المان الکتریکی بسته به جنس ماده ی تشکیل دهنده طول و قطر آن دارای مقامت الکتریکی خواصی می باشد که نیمه هادی های تشکیل دهنده ی igbt نیز دارای مقاومت اهمی ویژی می باشند که این مقاومت بسته به جریان عبوری از آن تا حدودی متغییر می باشد

خازن ها در ساختار igbt : همان طور که در قسمت قبل گفته شد پایه ی گیت در این ترانزیستور از دو صفحه ی رسانا تشکیل شده که با اتصال این صفحات توسط دی الکتریک
به نیمه هادی ها ساختار خازنی به وجود می آید. همچین با اتصال دو نیمه هادی نوع N وP
به یکدیگر یک ساختار خازنی به وجود می آید که پتانسیلی به اندازه ی ولتاژ گام در آن ذخیره شده است . در ساختار هر IGBT پنج نیمه هادی استفاده شده است در نتیجه با اتصال آنها چهار پیوند خازنی به وجود می آید.

دیود ها در ساختار IGBT : همان طور که گفته شد در ساختار igbt چهار اتصال نیمه هادی نوع n وp وجود دارد که هر کدام از این پیوند ها در مدار معادل می توانند با یک دیود نظیر شوند.

**induct** · 2008-01-21T20:55:41

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

ترانزیستور ها در ساختار IGBT : igbt ترانسیتوری می باشد که از دیدگاه ورودی ویژگی های mosfet را دارد و از دیدگاه خروجی ویژگی های ترانزیستورقطبی bjt را داردپس در مدار معادل کلی igbt آن را می توان با یک ترانزیستور ماسفت یک ترانزیستور قطبی نظیر نمود.

**induct** · 2008-01-21T20:56:16

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

IGBTفصل سوم: عملکرد
حالت غیر فعال

Blocking Operation
حالت غیر فعال عملکردی این ترانزیستور در صورتی به وجود می آید
که گیت این ترانزیستور تحریک نشود و هیچ پتانسیلی به آن اعمال نگردد حال در صورت اعمال پتانسیل الکتریکی مثبت به پایه ی کلکتور و پتانسیل منفی به امیتر ترانزیستور مانند یک سوییچ باز عمل نموده و تقریبا هیچ جریانی از آن عبور
نمی کند .
در این صورت جریان عبوری از ترانزیستور تنها یک جریان پایین نشتی میباشد
حال در صورت نیاز به جلوگیری از این جریان نشتی کافی است پایه ی گیت این ترازیتور را به پتانسیل صفر متصل نماییم و در صورت اعمال پتانسیل منفی به پایه ی گیت مقاومت آن در مقابل عبور جریان های نشتی افزایش می یابد در بایاس موافق بدون تحریک گیت با توجه به ساختار دیودی ترانزیستور IGBT
تنها یک دیود در بایاس مخالف قرار گرفته در نتیجه ترانزیستور عملکردی نخواهد داشت.

On-state Operation حالت فعال ترانزیستور

در صورت اعمال پتانسیل مثبت به پایه ی گیت نسبت به زمین ترانزیستور در حالت عملکرد قرار مگیرد در صورت اعمال پتانسیل مثبت به کلکتور و وصل پتانسیل صفر به پایه ی امیتر و افزایش ولتاژ پایه ی گیت تا رسیدن ولتاژ به ولتاژ گام ترانزیستور جریان کمی از خود عبور می دهد با رسیدن ولتاژ گیت به ولتاژ گام جریان عبوری از ترازیستور به سرعت به مقدار اشباع و ترانزستور عملکرد سوییچینگ را انجام نمی دهد و وارد منطقه ی عملکرد آنالوگ می گردد.
مهمترین و تقریبا تنها کارایی IGBT سوییچینگ جریان های بالا می باشد در نتیجه برای عملکرد مناسب این عنصر باید از وارد شدن آن به ناحیه ی اشباع جلوگیری نمود واز این ترانزیستور در ناحیه ی خطی (اهمی) استفاده کرد.
میزان ولتاژ اعمالی به گیت IGBT باید متناسب با ولتاژ قسمت قدرت و جریان مطلوب عبوری از آن باشد(برای این کار باید به اطلاعات تخصصی کارخانه ای ترانزیستور مراجعه نمود) .

**induct** · 2008-01-21T20:57:01

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

همانطور که در شکل بالا دیده می شود منحنی مشخصه ی این ترانزیستور از سه قسمت عمده تشکیل شده قسمت غیر فعال زمانی که پتانسیل اعمالی به گیت برابر صفر باشد جریانی از ترانزیستور عبور نخاهد کرد و نکته ی دیگر که از منحنی برداشت می شود این است که افت ولتاژ در دو سر کلکتور امیتر در حالت اشباع برابر 0.9 ولت می باشد درصورتی که ولتاژ کلکتور امیتر کمتر از نه دهم باشد جریانی از آن عبور نخواهد کرد.
وهر چقدر ولتاژ اعمالی به گیت بیشتر باشد ترانزیستور دیرتر به حالت اشباع
می رسد.

حالت فعال ترانزیستور IGBT وبررسی فعالیت در ساختار داخلی:
با اعمال پتانسیل به صفحات خازنی گیت حفره ها در نیمه هادی نوع P در نزدیکی صفحه ی خازنی گیت ودر مجاورت دی الکتریک اکسید سیلیکون جمع می شوند وتشکیل یک کانال عبور جریان مدهند که این عملکرد مانند عملکرد ماسفت می باشد. این کانال تشکیل شده درداخل ماسفت باعث اتصال کوتاه شدن دو سر دیودی که بایاس معکوس قرار گرفته می شود .
ترانزیستور های ماسفت از نظر ساختاری به دو شکل عمده ساخته می شوند
ترانزیستور ها یی که در آنها دو کانال حفره ای تشکیل می شود که این ترانزیستور ها با دو ماسفت در مدار معادل نظیر می شوند .

و ترانزیستور هایی که در آنها با تحریک گیت یک کانال حفره ای ساخته می شود
که این ترانزیستور ها را نیز در مدار معادل با یک ماسفت نظیر می کنند.