درخواست کمک (کسی طراحی ضرب کننده 3*4رو داره به من یاد بده)

[hasan7002]

لطفا یکی طراحی مدار ضرب کننده 3*4 رو به من یاد بده

[امیرعلی بلورچیان]

پاسخ : ضرب کننده 3بیت در4 بیت

طراحی بر مبنای تکنولوژی CMOS ؟

[hasan7002]

پاسخ : ضرب کننده 3بیت در4 بیت

اره بر مبنای إ¾CMOS باشه

[امیرعلی بلورچیان]

پاسخ : ضرب کننده 3بیت در4 بیت

http://tams-www.informatik.uni-hamburg.de/applets/hades/webdemos/20-arithmetic/85-square/square4.html

شما تو گوگل multiplier 4 bit را سرچ کنید تقریبا کامل آموزشش وجود داره .
بعد میتونید در هر قسمت سوال داشتید بپرسید

[hasan7002]

پاسخ : ضرب کننده 3بیت در4 بیت

بابت راهنما یتان واقعا ممنون

اگه من بخوام این مدارو با نرم افزار شبیه سازی کنم بهتره از چه نرم افزاری استفادم

در مورد شبیه سازی مدار هم لطفا راهنماییم کنید

[امیرعلی بلورچیان]

پاسخ : ضرب کننده 3بیت در4 بیت

شبیه سازی در چه حدی ؟ آنالیز دقیق بخواین باید با HSPICE ولی اگر آنالیزتون زیاد دقیق نیست موارد دیگری هم هستند.

[hasan7002]

پاسخ : ضرب کننده 3بیت در4 بیت

من در زمینه نرم افزار زیاد وارد نیستم

فقط یه کم با porotusکار کردم . میخوام بدونم منظور از شبیه سازی با نرم افزار چیه ؟

اگه من این مدار ضرب کننده رو شبیه سازی کنم با protus چه اطلاعاتی از مدار به من میده ؟

ممنون میشم منو راهنمایی کنید

[امیرعلی بلورچیان]

پاسخ : ضرب کننده 3بیت در4 بیت

اگر بگین که برا کدوم درس این پروژه رو به شما دادند متوجه منظور استاد میشیم.
معمولا برای محاسبه مقدار تاخیر مدارتون میگن شبیه سازی کنید ....
با پروتوس چیزی قابل شبیه سازی در حدی که من در نظر دارم نیست.

[hasan7002]

پاسخ : ضرب کننده 3بیت در4 بیت

من برای درس معماری کامپیوتر میخواستم

استاد توضیح زیادی ندادند فقط گفت مدارو طراحی کن بعد شبیه سازیش کن با نرم افزار. از نرم افزار خاصی هم صحبت نکردند

[hasan7002]

پاسخ : درخواست کمک (کسی طراحی ضرب کننده 3*4رو داره به من یاد بده)

از دوستان کسی طراحی مدار رو داره به من کمک کنه

[reza jahanbani]

پاسخ : درخواست کمک (کسی طراحی ضرب کننده 3*4رو داره به من یاد بده)

ضرب کننده مد جریانی چهار ربعی با استفاده از روش SI




دکتر محمد پویان

عضو هیات علمی دانشگاه شاهد

E-mail:

مرتضی رحمانی

E-mail:



چکیده:
در این مقاله یک ضرب کننده SI [1]چهار ربعی مبتنی بر مشخصه توان دو ترانزیستورهای MOS که در ناحیه اشباع کار میآکنند طراحی شده است. ضرب کننده جریان شامل دو سلول دو برابر کننده و دو سلول حافظه است. مدار با منابع ولتاژ 3V کار میآکند. مدار دارای محدوده دینامیکی بالا است و دارای اعوجاج هارمونیک کل [2]کم است. بررسی کارایی ضرب کننده با استفاده از شبیه سازی با HSPICE با تکنولوژی 0.5µm انجام شده است.
کلید واژه ها: ضرب کننده، SI، اعوجاج هارمونیک کل، تکنولوژی 0.5µm

مقدمه:
ضرب کنندهآهای آنالوگ چهار ربعی بلوکهای مفیدی هستند در پیاده سازی توابعی نظیر کنترل اتوماتیک بهره، مدولاسیون، آشکارسازها، فیلترهای تطبیقی و شبکهآهای عصبی کاربرد دارند. ضرب کنندهآها به دو دسته کلی ولتاژی و جریانی تقسیم می شوند که هر کدام نیز به سوئیچ شونده و پیوسته در زمان تقسیم می شوند. ضرب کنندهآهای سوئیچ شونده با خازن [3]از انتشار کلاک و aliasing رنج می برند. ضرب کنندهآهای SI نسبت به SC دارای سوئینگ ولتاژی کمتری هستند و در نتیجه از منبع ولتاژ با مقادیر کوچکتری استفاده می کنند. علاوه بر این ضرب کننده های SI می توانند با استفاده از پروسه CMOS دیجیتالی استاندارد در مدارهای مجتمع پیاده سازی شوند. در این مقاله ضرب کننده SI چهار ربعی که تنها در دو کلاک کار می کند را ارائه می دهیم. مهمترین مزیت آن نسبت ضرب کننده های SI قبلی استفاده از دو کلاک پالس است[1],[2]. ضرب کننده با استفاده از نرم افزار HSPICE و با تکنولوی 0.5µm شبیه سازی شده است.

ضرب کننده SI:
نمودار بلوکی ضرب کننده SI و نمودار زمانی آن شکل 1 دیده می شوند. مدار شامل سه بخش است: مدار ورودی، هسته ضرب کننده و دو سلول حافظه جریانی.






شکل 1: نمودار بلوکی ضرب کننده SI و نمودار زمانی آن.



در مدار ورودی جریانهای ورودی در یک فاز با هم جمع و در فاز دیگر از هم کم می شوند. بعد هر کدام از جریانهای حاصله به مدار مجذور کننده می روند و سپس به حافظه می روند تا ذخیره شوند و در نهایت از هم کم می شوند تا خروجی حاصل گردد.



مدار ورودی:

شکل 2 مدار ورودی است که در آن ترانزیستورهای M7 تا M10 نقش سوئیچ دارند و ترانزیستورهای M11 تا M16 یک آینه جریان کسکود را تشکیل می دهند. در فاز Φ1 (بازه زمانی T1=T1a+T1b) ترانزیستورهای M7 و M8 روشن و ترانزیستورهای M9 و M10 خاموش هستند. در این حالت جریانهای IX و IY با جمع می شوند. در فاز Φ2 (بازه زمانی T2=T2a+T2b) ترانزیستورهای M9 و M10 روشن و ترانزیستورهای M7و M8 خاموش هستند. در این حالت جریان خروجی تفاضل جریانهای IX و IY می شود.



هسته ضرب کننده:

شکل 3 مدار مجذور کننده جریانی چهار ربعی را نشان میآدهد[3]. همانطور که دیده میآشود مدار دارای ساختار متقارن است و شامل دو سلول مجذور کننده است. جریان ورودی مجذور کننده در فاز Φ1، IX+IY و در فاز Φ2، IX-IY است. رابطه خروجی مجذور کننده NMOS را اثبات می کنیم. اثبات رابطه خروجی مجذور کننده PMOS نیز مشابه است.







سلول حافظه SI:

شکل 4 سلول حافظه SI دو مرحله ای را که در این ضرب کننده بکار گرفته شده است را نشان می دهد[4]. در طی فاز Φ1a گیت ترانزیستور M21 به Vbias متصل می شود تا اینکه یک منبع جریان را بوجود آورد. همچنین ترانزیستور M23 همانند دیود متصل می شود و جریان آن Ibias+I1,T1 خواهد شد. در طی فاز Φ1b ترانزیستور M21 همانند دیود متصل می شود و جریان آن Ibias+∆i خواهد شد(∆i خطای جریانی ترانزیستور M23 است که بدلیل خاموش شدن ترانزیستور M22 بوجود می آید. در طی فاز Φ2 ترانزیستورهای M18 و M24 روشن می شوند و جریان خروجی برابر IM21-IM23+IM18 می شود که برابر I1,T2-I1,T1 می باشد. با استفاده از روابط (9) تا (12) می توانیم بنویسیم:



همانطور که در رابطه (15) دیده میآشود خروجی مدار حاصلضرب در همراه با گینی است که شامل ضریب ، پارامتر هدایت انتقالی و پارامتر وابسته به منابع است. پارامتر مستقیما با ابعاد ترانزیستورها تنظیم میآشود. مقدار نیز مستقیما مصرف توان و محدوده عملکرد جریان ورودی را تعیین میآکند. بنابراین عمل کامل ضرب در تنها یک کلاک انجام می شود.

[sally]

پاسخ : درخواست کمک (کسی طراحی ضرب کننده 3*4رو داره به من یاد بده)

سلام خسته نباشید. ممنون از توضیحات شما.
ممنون میشم اگه راهنمایی بفرمائید از مدار ضرب کننده آنالوگ حالت جریانی جهار ریعی، آیا میشه در دیتاسنتر یا server room هم استفاده کرد؟ کجا؟ در چه سیستمی میشه تعبیه کرد؟

دلیل: ادغام دو پست برای جلوگیری از اسپم

سلام خسته نباشید. ممنون از توضیحات شما.
ممنون میشم اگه راهنمایی بفرمائید از مدار ضرب کننده آنالوگ حالت جریانی جهار ریعی، آیا میشه در دیتاسنتر یا server room هم استفاده کرد؟ کجا؟ در چه سیستمی میشه تعبیه کرد؟