با سلام به دوستان
یه سوال در مورد ساختمان داخلیEEPROM ها داشتم . ممنون میشم اگه کسی از دوستان اطلاعی داره در بختیارم بذاره.
و اما سوال من ...
همانطور که تو data sheet تمام EEPROM ها دیدین سازنده یه تعداد بار خاص رو برای نوشتن اطلاعات بر روی EEPROM ها معتبر میدونه ( برای مثال برای 93c66 در حدود 1.000.000 مرتبه سیکل erase/write )
و نیز میدونین که نوشتن ff همون کار erase رو انجام میده حالا سوال من اینجاست که :
اولا اگه ff ننویسیم و یا فرمان erase رو اجرا نکنیم این تعداد بار افزایش پیدا میکنه یا اینکه نوشتن مجدد رو به معنای erase در نظر میگیره ؟؟
ثانیا مثلا اگر محتوای یه بایت aa باشه و بعد از اون بخواهیم ab رو بنویسیم این تغییر وضعیت برای همه بیتها داریم یا تنها بیتی که عوض میشه ؟؟
یه سوال در مورد ساختمان داخلیEEPROM ها داشتم . ممنون میشم اگه کسی از دوستان اطلاعی داره در بختیارم بذاره.
و اما سوال من ...
همانطور که تو data sheet تمام EEPROM ها دیدین سازنده یه تعداد بار خاص رو برای نوشتن اطلاعات بر روی EEPROM ها معتبر میدونه ( برای مثال برای 93c66 در حدود 1.000.000 مرتبه سیکل erase/write )
و نیز میدونین که نوشتن ff همون کار erase رو انجام میده حالا سوال من اینجاست که :
اولا اگه ff ننویسیم و یا فرمان erase رو اجرا نکنیم این تعداد بار افزایش پیدا میکنه یا اینکه نوشتن مجدد رو به معنای erase در نظر میگیره ؟؟
ثانیا مثلا اگر محتوای یه بایت aa باشه و بعد از اون بخواهیم ab رو بنویسیم این تغییر وضعیت برای همه بیتها داریم یا تنها بیتی که عوض میشه ؟؟
دیدگاه