سلام
توی سایت مطالب زیادی در مورد IGBT و نحوه ی درایو کردن اون وجود داره . توی اکثر نقشه های مربوط به درایو ، از پالس PWM یا ... برای تحریک کردن IGBT استفاده شده ، در حالی که این قطعه خواصی مشابه با MOSFET داره و میشه با دادن یک ولتاژ DC یه گیت اون ، جریان کلکتورش رو کنترل کرد ( میشه گفت یه MOSET داریم که اون رو در ناحیه ی تریود بایاس کردیم ) .
حالا در این روش چند تا ابهام وجود داره :
1- قرار گرفتن ولتاژ DC بر روی گیت چه مشکلی داره ؟
یکی از مسائلی که ممکنه بوجود بیاد تلفات توان هست ، که میشه با انتخاب یک IGBT قوی تر حلش کرد ، غیر از این مورد دیگه ای هست ؟
2- معمولا برای حفاظت کردن IGBT ها ، در هنگام رخ دادن خطا پایه ی گیت رو به زمین یا ولتاژ منفی وصل میکنن ، زمان بین رخ دادن خطا و زمین شدن گیت حداکثر چقدر میتونه باشه ؟
ممنون از پاسخ های شما
توی سایت مطالب زیادی در مورد IGBT و نحوه ی درایو کردن اون وجود داره . توی اکثر نقشه های مربوط به درایو ، از پالس PWM یا ... برای تحریک کردن IGBT استفاده شده ، در حالی که این قطعه خواصی مشابه با MOSFET داره و میشه با دادن یک ولتاژ DC یه گیت اون ، جریان کلکتورش رو کنترل کرد ( میشه گفت یه MOSET داریم که اون رو در ناحیه ی تریود بایاس کردیم ) .
حالا در این روش چند تا ابهام وجود داره :
1- قرار گرفتن ولتاژ DC بر روی گیت چه مشکلی داره ؟
یکی از مسائلی که ممکنه بوجود بیاد تلفات توان هست ، که میشه با انتخاب یک IGBT قوی تر حلش کرد ، غیر از این مورد دیگه ای هست ؟
2- معمولا برای حفاظت کردن IGBT ها ، در هنگام رخ دادن خطا پایه ی گیت رو به زمین یا ولتاژ منفی وصل میکنن ، زمان بین رخ دادن خطا و زمین شدن گیت حداکثر چقدر میتونه باشه ؟
ممنون از پاسخ های شما
دیدگاه