تفاوت ترازیستور و ماسفت

[darkness.signals]

سلام دوستان
من یه قطعه دارم که با توجه به مارکینگش هم میتونه ترازیستور باشه هم ماسفت.چه آزمایشاتی میتونم روش انجام بدم که بفهمم ترانزیستور هست یا ماسفت.
اصلا فرقشون تو عمل چی هست؟

[eshgh_namordeh]

پاسخ : تفاوت ترازیستور و ماسفت

قطعت اگر اسم داره دیتا شیتش را از اینترنت بگیر معلومه چی هست

[ahmadpashaei]

پاسخ : تفاوت ترازیستور و ماسفت

سلام دوستان
من یه قطعه دارم که با توجه به مارکینگش هم میتونه ترازیستور باشه هم ماسفت.چه آزمایشاتی میتونم روش انجام بدم که بفهمم ترانزیستور هست یا ماسفت.
اصلا فرقشون تو عمل چی هست؟

ترانزیستور یا FET هست یا BJT که FETها میتونن MOSFET or JFET باشن!! شما part number قطعه رو بفرمایید تا بشه راهنمایی کرد و یا اینکه در سایتهایی مثل alldatasheet.com و ... دیتاشیت دانلود کنید. حتی در google search بنویسید ......datasheet براتون دیتا شیتها رو میاره.
موفق باشید

[darkness.signals]

پاسخ : تفاوت ترازیستور و ماسفت

مارکینگ m6 چهار تا پارت نامبر داره که سه تاشون ترانزیستور هست و یکیشون ماسفت.پکیج 2 تا از ترانزیستورها و ماسفت هم یکی هستند.
حالا چی؟

[elmicro]

پاسخ : تفاوت ترازیستور و ماسفت

تفاوت ترازیستور و ماسفت چیست؟
ترانزیستور:
ترانزیستور یکی از پرکاربردترین قطعات در صنعت الکترونیک است که با اختراع آن در سال 1947 میلادی تحولی عظیم در صنعت الکترونیک به وقوع پیوست . ترانزیستور معمولی ، یک المان سه قطبی معمولی است که از سه عدد نیمه هادی نوع N و P تشکیل شده است . ( برای آشنایی با نیمه هادی ها ، به صفحه آشنایی با نیمه هادی ها از همین وب سایت مراجعه فرمایید ) . این نیمه هادی ها به دو شکل می توانند در کنار هم قرار گیرند .


الف ) دو نیمه هادی نوع N در دو طرف و یک نیمه هادی نوع P در وسط قرار می گیرند که در این حالت ترانزیستور را NPN می نامند . در شکل (1) نمایی از ساختمان این نوع ترانزیستور نمایش داده شده است .



ترانزیستور NPN

شکل (1)


ب ) دو نیمه هادی نوع P در دو طرف و یک نیمه هادی نوع N در وسط قرار می گیرند که در این حالت ترانزیستور را PNP می نامند . در شکل (2) نمایی از ساختمان این نوع ترانزیستور نمایش داده شده است .



ترانزیستور PNP

شکل (2)


پایه های ترانزیستور را امیتر (Emitter) ، بیس (Base) و کلکتور (Collector) می نامند که امیتر را با حرف E ، بیس را با حرف B و کلکتور را با حرف C نمایش می دهند .
نیمه هادی نوع N یا P که به عنوان امیتر به کار می رود ، نسبت به لایه های بیس و کلکتور دارای ناخالصی بیشتری می باشد . ضخامت این لایه حدود چند ده میکرون است و سطح تماس آن نیز بستگی به فرکانس کار و قدرت ترانزیستور دارد .
لایه بیس نسبت به لایه های کلکتور و امیتر دارای ناخالصی کمتری است و ضخامت آن نیز به مراتب کمتر از ضخامت لایه های امیتر و کلکتور می باشد و عملاً از چند میکرون تجاوز نمی کند .
ناخالصی لایه کلکتور از لایه امیتر کمتر و از لایه بیس بیشتر است . ضخامت این لایه به مراتب بزرگتر از ضخامت لایه امیتر می باشد زیرا تقریباً تمامی تلفات حرارتی ترانزیستور در لایه کلکتور ایجاد می شود . سطح تماس لایه کلکتور با لایه بیس حدوداً نه برابر سطح تماس لایه امیتر با لایه بیس می باشد .

جهت مطالعه ادامه مطلب به لینک زیر مراجعه کنید:
http://www.elmicro.ir/index.php/electronic/piece/14-transistor


ماسفت:

ماسفت یا ترانزیستور اثرمیدانی نیمهآرسانا-اکسید-فلز ( metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ٫ MOSFET ) معروفآترین ترانزیستور اثرمیدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است.این گونه از ترانزیستور اثرمیدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشآرفتآهای الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۱۹۷۰م، بارِ دیگر نگاهآها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.



در ترانزیستور اثرِ میدان ( FET ) چنان که از نام اش پیدا است، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمیآکند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل میآشود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمیآگذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد.عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایهآای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزاشده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا ( IGFET ، Insulated Gate FET) نیز گفته میشود.

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS، را میآتوان بسیار ریزتر و سادهآتر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت؛ بی آن که (حتی در مدارها و تابعآهای پیچیده و مقیاسآهای بزرگ ) نیازی به مقاومت، دیود، یا دیگر قطعهآهای الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آنآها را آسان میآکند، چندان که هم اکنون بیشآتر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته میآشوند.

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آنآها شکل میآگیرد، NMOS یا PMOS نامیده میآشوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسانآتر است و مساحتِ کمآتری هم میآگیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل ( الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تکآقطبی هم میآنامند.


ساختار و کارکرد ماسفت افزایشی:

فت دارای سه پایه با نامآهای درین D، سورس S و گیت G است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل میآکند. فتآها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور میآکند. FETآها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک میآگردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند. نوع دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی MOSFETآها هستند (ترانزیستور اثرمیدانی نیمهآرسانای اکسید فلز) یکی از اساسیآترین مزیتآهای ماسفتآها نویز کمتر آنآها در مدار است.

جهت مطالعه ادامه مطلب به لینک زیر مراجعه کنید:
http://www.elmicro.ir/index.php/electronic/piece/82-mosfet