درخواست راهنمایی جهت ساخت درایور IGBT

[maktoob]

عرض سلام خدمت اساتید
جهت درایو کردن igbt LUH75G1201Z مدار زیر رو بستم و توی خروجیش یه خازن 5.6 نانو برای تست قرار دادم (بخاطر اینکه خازن ورودی سوییچهایی که میخوام درایو کنم حدود 5 نانو فاراده).فرکانس 40 کیلو و دیوتی سایکل ثابت 40%

حالا مشکل اینه که شیب شکل موج زیاده و t-on رو حدود 2 میکرو ثانیه بدست آوردم که خیلی زیاده .از اساتید خواهش دارم بگن چه اصلاحاتی روی مدار انجام بدم؟
سپاسگذارم

[emergency.calls.only]

پاسخ : درخواست راهنمایی جهت ساخت درایور IGBT

اگه این شکل موج رو از همین مداری که بستی گرفته باشی به شدت بت تبریک می گم چون حتی قانون بقای ماده و انرژی رو هم نقض کردی .
اولا که سر خازن 1 میکرو به 12 ولت وصل نمی شه و ب به امیترهای مشترک شده وصل بشه .
دوما مقدار 470 اهم روی گیت امیتر خیلی کمه و باید به حداقل 10 کیلو ارتقا پیدا کنه .
ثانیا شکل موجی که گرفتی اگر با خازن 5.6 نانو فاراد گیت بوده باشه چندان هم بد نیست اگرچه زیاد هم جالب نیست .

[maktoob]

پاسخ : درخواست راهنمایی جهت ساخت درایور IGBT

اگه این شکل موج رو از همین مداری که بستی گرفته باشی به شدت بت تبریک می گم چون حتی قانون بقای ماده و انرژی رو هم نقض کردی .
اولا که سر خازن 1 میکرو به 12 ولت وصل نمی شه و ب به امیترهای مشترک شده وصل بشه .
دوما مقدار 470 اهم روی گیت امیتر خیلی کمه و باید به حداقل 10 کیلو ارتقا پیدا کنه .
ثانیا شکل موجی که گرفتی اگر با خازن 5.6 نانو فاراد گیت بوده باشه چندان هم بد نیست اگرچه زیاد هم جالب نیست .

ممنون از توجهتون.اشتباه در ترسیم مدار بود و اصلاح شد! :mrgreen:
اون مقاومت 470 اهم رو هم از روی دیاگرامی که جناب استاد جبرائیلی قرار داده بودند گذاشتم :redface: :

بله با خازن 5.6 نانو این نتیجه بدست اومد . در یکی از اپلیکیشن نت ها خوندم که t-on باید حداکثر 1% کل سیکل باشه ولی در اینجا حدود 8 % بدست اومده. لطفا بفرمایید برای کاهش شیب چه بکنم؟

[عباس جبراییلی]

پاسخ : درخواست راهنمایی جهت ساخت درایور IGBT

با سلام-ای جی بی تی شما با شماره LUH75G1201Z یک ماژول 75 امبری 1200 ولت میباشد.همانطور که در شماتیک نشان داده شده گفته بودم مقاومت مسیر گیت باید از روی دیتا شیت ان انتخاب شود که برای ای جی بی شما دیتا شیت مقدار 15 اهم را بیشنهاد داده.این یعنی اینکه مقاومت دیده شده از گیت 15 اهم باشد.مقادیر خیلی بیشتر از 15 اهم مقاومت گیت باعث افزایش تلفات سوییچینگ میشود و کمتر از ان باعث افزایش نرخ تغییرات ولتاژ و یا جریان شده و باعث روشن شدن خود بخود سوییچ های مخالف در توبولوژیهای فول بریج-هاف بریج-بوش بول -میشود-همچنین خازن دیده شده از گیت ان مقداری نیست که در دیتا شیت داده بلکه خازن های دیگر اتصالات نیمه هادی به هنگام اعمال ولتاژ به ای جی بی تی به صورت اثر میلر با این خازن جمع شده و مقدار ان را بیشتر میکنندو اگر در شماتیک دقت کنید گفته شده که برای خازنهای بیشتر از 10 نانو این مدار مناسب نمیباشد و در عوض مدار سمت راستی بهتر است.در ظمن شما یک مقاومت 10 اهم با اولیه سری کرده اید که باعث افزایش مقاومت دیده شده از گیت میشود وباید انرا حذف نمایید.برای درایو ترانس بالس بهتر است در این رنج توان بجای ترانزیستورهای سمت اولیه از ای سی های مخصوص این کار مثل TC4420 استفاده نمایید..در صورتی که دیوتی سایکل متغییر دارید بیشنهاد میشود بعد از ساختن درایور انرا در حد اقل دیوتی سایکل (و نه حداکثر) تست نمایید تا مطمین شوید که دامنه ولتاژ گیت افت نمیکند زیرا اگر دامنه افت کند ای جی بی تی وارد ناحیه خطی شده و با حداقل جریان خواهد سوخت.