ورود به حساب ثبت نام جدید فراموشی کلمه عبور
برای ورود به حساب کاربری خود، نام کاربری و کلمه عبورتان را در زیر وارد کرده و روی «ورود به سایت» کلیک کنید.





اگر فرم ثبت نام برای شما نمایش داده نمی‌شود، اینجا را کلیک کنید.









اگر فرم بازیابی کلمه عبور برای شما نمایش داده نمی‌شود، اینجا را کلیک کنید.





کاربران برچسب زده شده

نمایش نتایج: از 1 به 3 از 3
  1. #1
    2012/10/28
    مشهد
    249
    16

    سوال کلی از میکروالکترونیک

    با سلام
    من می خواستم از میکو الکترونیک یک سری اطلاعت جامعی داشته باشم. مثلا چطور مس و سیلیکون N و P و دیگر چیزها رو توی آی سی با زخامت کم می زارن؟
    چطور مقاومت و سلف و خازن ایجاد می کنن؟
    آیا برای آی سی میان چند لایه نازک سیلیکون N و P و مس و عایق و دیالکتریک رو میزارن با CNC چیزی که خیلی دقیق باشه با لیزر یا شتاب دهنده الکترون برش می دن و بعد لایه ها رو بهم می چسبونن؟
    من تو گوگل گشتم اطلاعات به درد بخوری پیدا نکردم.
    می شه به طور کلی توضیح بدین چی کار می کنن آی سی ساخته بشه؟
  2. #2
    2008/08/02
    تهران
    1,292
    13

    پاسخ : سوال کلی از میکروالکترونیک

    نقل قول نوشته اصلی توسط Aryan_M
    با سلام
    من می خواستم از میکو الکترونیک یک سری اطلاعت جامعی داشته باشم. مثلا چطور مس و سیلیکون N و P و دیگر چیزها رو توی آی سی با زخامت کم می زارن؟
    چطور مقاومت و سلف و خازن ایجاد می کنن؟
    آیا برای آی سی میان چند لایه نازک سیلیکون N و P و مس و عایق و دیالکتریک رو میزارن با CNC چیزی که خیلی دقیق باشه با لیزر یا شتاب دهنده الکترون برش می دن و بعد لایه ها رو بهم می چسبونن؟
    من تو گوگل گشتم اطلاعات به درد بخوری پیدا نکردم.
    می شه به طور کلی توضیح بدین چی کار می کنن آی سی ساخته بشه؟
    سلام
    سوالاتت جواب داده میشه به شرط اینکه اول طرز ساخت ترانزیستور یا ماسفت رو یاد بگیری
    کتابای فیزیک الکترونیک در این رابطه کامل توضیح دادن
    گفت که دیوانه نهی لایق این خانه نهی
  3. #3
    2008/08/01
    تهران
    305
    44

    پاسخ : سوال کلی از میکروالکترونیک

    سلام شاید این برای شروع بد نباشه . oo:

    ممکن است تصور شود که ساخت مدارهای مجتمع ، شامل تعداد زیادی قطعه بهم متصل شده روی یک بستر Si از جنبه فنی و اقتصادی مخاطره آمیز باشد، در حالی که روشهای نوین امکان انجام اینکار را بصورت مطمئن و نسبتا کم هزینه فراهم ساخته است. در بیشتر مواقع یک مدار کامل روی تراشه Si را میآ*توان بسیار ارزانتر و مطمئنتر از یک مدار مشابه با استفاده از قطعات مجزا تولید کرد. دلیل اصلی این امر امکان ساخت صدها مدار مشابه بطور همزمان روی پولک Si است که این فرآیند تولید گروهی Batch Fabrication نامیده میآ*شود. این مدارها که بطور کامل روی یک تراشه نیم رسانا قرار میآ*گیرند مدارهای یکپارچه نامیده میآ*شوند.
    ic 002 تکنولوژی ساخت مدارات مجتمع
    .

    واژه یکپارچه از لحاظ ادبی که به معنای تک سنگی بوده و به مفهوم آن است که کل مدار در یک قطعه واحد از نیم رسانا جا داده شده است. مهمترین عنصر تکنولوژی IC تراشه یکپارچه است که میآ*تواند دارای هزاران یا میلیونها ترانزیستور منفرد باشد، این مدارها روی پولک Si به قطر ۶ یا ۸ اینچ ساخته میآ*شوند. پس این مدارها با استفاده از زدایش انتخابی ، برش یا خراش توسط تیغه الماسی یا لیزر و شکستن آن به مربعها یا مستطیلهای کوچک از مدارهای منفرد تفکیک میآ*شود و پس از آن هر مدار روی یک بستر مناسب نصب شده و اتصال زنی و بسته بندی انجام میآ*گیرد.

    .

    فرآیند ساخت

    .
    نقاب گذاری و آلایش انتخابی
    هدف از فرآیند ساخت ، آلایش انتخابی نواحی معین از نیم رسانا و اتصال مناسب عناصر بدست آمده بوسیله یک الگوی فلز کاری است. با منظور کردن مراحل اکسایش ، تعداد عملیات بکار رفته در ساخت یک مدار میآ*تواند کاملا زیاد باشد به عنوان مثال ترانزیستور نفوذ داده شده را در نظر میآ*گیریم، مراحل اساسی عبارتند از:
    رشد لایه اکسید اول
    بازکردن یک پنجره در SiO2 برای نفوذ بیس
    انجام نفوذ بر
    رشد یک لایه اکسید دوم
    باز کردن یک پنجره برای نفوذ امیتر
    انجام نفوذ فسفر
    رشد یک لایه اکسید سوم
    باز کردن پنجرهآ*هایی برای اتصالات بیس و امیتر
    تبخیر Al روی سطح
    برداشتن Al بجز در الگوهای فلز کاری مورد نظر
    در این مثال ساده دو مرحله اکسایش ، دو نفوذ و یک فلز کاری بکار رفته است. تعداد نقابهای لازم ۴ عدد است، دو تا برای نفوذ ، یکی برای پنجرهآ*های اتصالات و یکی برای تعریف فلز کاری. برای مدارهای مجتمع مراحل خیلی بیشتر و در نتیجه نقابهای خیلی زیادی لازم است. نکته مهم کاهش ابعاد هر مدار و استفاده از پولکهای بزرگ به منظور افزایش تعداد قطعات قابل استفاده از تولید گروهی است. مفهوم این امر این است که نقابهای مختلف باید بسیار دقیق بوده و در طی هر مرحله لیتوگرافی نوری بخوبی همراستا شوند.
    در حالت کلی یک نسخه دقیق از الگوی مورد نظر برای یکی از مراحل نقاب گذاری ، برای عضوی از آرایه مدارها تهیه میآ*شود. این نسخه اولیه عکسبرداری شده و ابعاد آن کاهش میآ*یابد. سپس یک دوربین با تکرار مرحلهآ*ای برای عکسبرداری از الگوی کوچک شده و انجام کوچک سازی نهایی مورد استفاده قرار گرفته و این روند را برای هر مستطیل در آرایه نهایی که میآ*تواند دارای صدها الگوی مشابه باشد تکرار میآ*کند. آرایه الگوی نهایی روی یک نقاب شیشهآ*ای چاپ شده و این نقاب در مرحله لیتوگرافی روی پولک Si قرار داده میآ*شود

    .
    لیتوگرافی خط – ریز Fine – Line Lithography
    تلاش در جهت جا دادن چگالی عملیاتی مدام در حال افزایش روی یک تراشه Si اشتیاق شدیدی برای هر چه کوچکتر ساختن اجزاء مدار بوجود آورده است. شرایط بدعت و مصرف توان نیز طراحان را به استفاده از ابعاد کوچکتر متمایل میآ*کند. لیتوگرافی نوری عامل محدود کننده فرآیند کاهش ابعاد است، اگر از نور فرابنفش برای تاباندن به لایه حساس به نور از طریق یک نقاب استفاده شود. حداقل پهنای خطوط در نهایت به دلیل آثار تفرقی یا پراش به چند طول موج محدود میآ*شود.
    برای مثال برای یک ماوراء بنفش به طول موج ۰٫۳۵ میکرو متر نباید انتظار داشت که پهنای خطوط کمتر از حدود ۱ میکرو متر باشد. بدیهی است که برای ابعاد هندسی زیر میکرونی لازم است که طول موجهای کوتاهتر به لایه حساس نور تابانده شود. بنابه قضیه دوبروی که طول موج یک ذره بطور معکوس با ممان تغییر میآ*کند پس برای دستیابی به طول موجهای کوتاهتر باید ذرات سنگینتر یا فوتونهای پر انرژی در نظر گرفته شود. لکترونها ، یونها یا پروتوهای ایکس بهترین مورد در این خصوص هستند.

    .

    عایق سازی Isolon ati
    یک مرحله مهم در فرآیند ساخت مدار مجتمع ایجاد عایق الکتریکی بین عناصر مدار است، اگر ترانزیستور دو قطبی روی یک تراشه ساخته میآ*شود تمام نواحی کلکتور مشترک میآ*بودند پس لازم است که بیشتر عناصر عایق سازی شده و سپس توسط الگوهای فلز کاری به یکدیگر متصل شوند. مثلا برای ترانزیستور n – p – n یک روش عایق سازی ، نفوذ الگویی از خندقهای نوع p در یک لایه رونشستی نوع n واقع در بستر از نوع p است. بستر نوع p پشتیبانی مکانیکی ساختار را بر عهده دارد و به همراه الگوی نفوذی نوع p نواحی عایق شده برای ماده نوع n را تعریف میآ*کند.
    چون هر قطعه را میآ*توان در جزیرهآ*ای از نوع n قرار داد، با نگه داشتن ماده بستر نوع p در منفیآ*ترین پتانسیل موجود در مدار ، عایق سازی خوبی بدست خواهد آمد. یک عیب این روش ظرفیت ذاتی موجود در پیوند نهایی عایق ساز p – n است. ظرفیت ایجاد شده بین دیوارهآ*های جانبی ناحیه n و پیوندهای نفوذ داده شده را میآ*توان با استفاده از ترکیبهای مختلف عایق اکسیدی حذف کرد.
    یک طرح عایق سازی که بویژه برای مدارهای با چگالی بالا مفید است در برگیرنده تشکیل چالهآ*های نسبتا عمیق و پر کردن آن با پلی سیلیسیوم است. در این فرآیند یک لایه نیترید الگوسازی شده و به عنوان نقاب برای زدایش ناهمسانگرد سیلیسیوم به منظور تشکیل چاله بکار میآ*رود. اکسایش داخل چاله تشکیل یک لایه عایق داده و بعد از آن با استفاده از روش نشست بخار شیمیایی چاله از پلی سیلیسیوم پر میآ*شود
    ساخت مقاومتها و خازنها بیرون از تراشه Si [i][u]

    .
    فرآیند لایه ضخیم
    مقاومتها و الگوهای اتصالات داخلی روی یک بستر سرامیکی به روش سیلک اسکرین Silk Screen__ (نوعی سیستم چاپ که در آن روی چهار چوبی پارچه مخصوص توری کشیده میآ*شود و طرح مورد نظر روی این پارچه پیاده میآ*شود و با عبور رنگ در سوراخهای باز و بسته توری نقش دلخواه روی هر چه که بخواهیم چاپ میآ*شوند) چاپ میآ*شوند خمیرهای مقاومتی و هدایتی متشکل از پودرهای فلزی در شکل سازمان یافته روی بستر چاپ شده و در یک اجاق حرارت داده میآ*شوند.

    .

    فرآیند لایه نازک
    از دقت و کوچک سازی بیشتری برخوردار بوده و عموما در جایی که فضا اهمیت دارد ترجیح داده میآ*شود الگوهای اتصال بندی و مقاومتهای لایه نازک را میآ*توان به روش خلا روی یک بستر سرامیکی شیشهآ*ای یا لعابی نشاند. لایهآ*های مقاومتی معمولا از جنس تانتالیوم یا سایر فلزات مقاومتی بوده و رساناها نیز غالبا آلومینیوم یا طلا هستند.
    .

    مزایای مدارات مجتمع
    معایب ناشی از اتصال لحیم کاری شده در مدارهای با قطعات مجزا به میزان بسیار زیادی کاهش میآ*یابد.
    بسیاری از عملیات مداری را میآ*توان در یک فضای کوچک جا داد، امکان بکار گیری تجهیزات الکترونیکی پیچیده در بسیاری از کاربردها که در آنها وزن و فضا اهمیت حیاتی دارد، نظیر وسایل نقلیه هوایی و فضایی وجود خواهد داشت.
    .

    زمان پاسخ و سرعت انتقال سیگنال بین مدارها
    درصد قطعات مفید که در فرآیند تولید گروهی حاصل میآ*شود، معمولا بر اثر وجود نقصهایی در پولک Si یا در مراحل ساخت قطعات معیوب نیز بوجود میآ*آید.

    .

    .

    منبع : دانش ما

    لینک منبع:

    مهمان عزیز شما حق دیدن لینک ها را ندارید

    عضویت



    لینکهای زیر رو هم ببینید:


    مهمان عزیز شما حق دیدن لینک ها را ندارید

    عضویت



    مهمان عزیز شما حق دیدن لینک ها را ندارید

    عضویت






    موفقیت یک فرایند است نه یک اتفاق...

    ******** استفاده از گزينه تشكر نشانه اهميت و احترام شما به پيگيري شخص نظر دهنده است ********
نمایش نتایج: از 1 به 3 از 3

موضوعات مشابه

  1. پاسخ: 21
    آخرين نوشته: 2017/10/06, 13:48
  2. پاسخ: 1
    آخرين نوشته: 2015/12/28, 00:20
  3. پاسخ: 2
    آخرين نوشته: 2012/08/21, 12:37
  4. پاسخ: 20
    آخرين نوشته: 2010/10/04, 22:07
  5. پاسخ: 10
    آخرين نوشته: 2008/11/02, 12:23

کلمات کلیدی این موضوع

علاقه مندي ها (Bookmarks)

علاقه مندي ها (Bookmarks)

مجوز های ارسال و ویرایش

  • شما نمیتوانید موضوع جدیدی ارسال کنید
  • شما امکان ارسال پاسخ را ندارید
  • شما نمیتوانید فایل پیوست کنید.
  • شما نمیتوانید پست های خود را ویرایش کنید
  •