سلام تو درس تکنیک پالس ما خوندیم که برای افزایش سرعت سوئیچ ترانزیستور و جلوگیری از اثرات خازنی بیس اون ما اگه با مقاومت روی بیس یک خازن موازی کنیم اثر خازن بیس امیتر خنثی میشه چون تولحظه ی اتصال خازن تقریبا اتصال کوتاه و شارژ اولیه ی خازن داخلی ترانزیستورو میده و در لحظه ی قطع با یک ولتاژ منفی معکوس اونو سریعا دشارژ میکنه
چرا تو هیچ شماتیکی این کارو برای IGBT انجام ندادن؟
چرا تو هیچ شماتیکی این کارو برای IGBT انجام ندادن؟
دیدگاه