اطلاعیه

Collapse
No announcement yet.

خازن SPEED UP و IGBT

Collapse
X
 
  • فیلتر
  • زمان
  • Show
Clear All
new posts

    خازن SPEED UP و IGBT

    سلام تو درس تکنیک پالس ما خوندیم که برای افزایش سرعت سوئیچ ترانزیستور و جلوگیری از اثرات خازنی بیس اون ما اگه با مقاومت روی بیس یک خازن موازی کنیم اثر خازن بیس امیتر خنثی میشه چون تولحظه ی اتصال خازن تقریبا اتصال کوتاه و شارژ اولیه ی خازن داخلی ترانزیستورو میده و در لحظه ی قطع با یک ولتاژ منفی معکوس اونو سریعا دشارژ میکنه
    چرا تو هیچ شماتیکی این کارو برای IGBT انجام ندادن؟

    #2
    پاسخ : خازن SPEED UP و IGBT

    سلام.
    برای اینکه ترانزیستور سوییچ مد جریانی و IGBTسوییچ مد ولتاژی است.
    موفق باشید.
    من دریافته ام که ایده های بزرگ هنگامی به ذهن راه می یابند که اراده کنیم چنین ایده هایی را داشته باشیم. "چارلز چاپلین "

    دیدگاه


      #3
      پاسخ : خازن SPEED UP و IGBT

      نه عزیزم مشکل این نیست شما یک سری به تاپیک های بررسی igbt بزن همشون مشکلشون اینه که به علت وجود خازن روی گیت IGBT باعٍث افزایش زمان سویچ و تلفات میشه حال اینکه این خازن مخصوص از بین برن اثر خازنی بیس یا گیت طراحی شده ربطی به جریانی یا ولتاژی نداره
      نظر خودم اینه که چون بین پایه ی گیت و امیتر IGBT تحمل ولتاژ معکوس زیادی نداره که زنر هم میذارن یا اینکه جریان گیت IGBT محدودیت داره یا از دست این خازن( به علت بزرگ بودن خازن داخلی IGBT نسبت به فرکانس سویچ )کاری بر نمیاد

      دیدگاه


        #4
        پاسخ : خازن SPEED UP و IGBT

        نوشته اصلی توسط amin11
        نه عزیزم مشکل این نیست شما یک سری به تاپیک های بررسی igbt بزن همشون مشکلشون اینه که به علت وجود خازن روی گیت IGBT باعٍث افزایش زمان سویچ و تلفات میشه حال اینکه این خازن مخصوص از بین برن اثر خازنی بیس یا گیت طراحی شده ربطی به جریانی یا ولتاژی نداره
        نظر خودم اینه که چون بین پایه ی گیت و امیتر IGBT تحمل ولتاژ معکوس زیادی نداره که زنر هم میذارن یا اینکه جریان گیت IGBT محدودیت داره یا از دست این خازن( به علت بزرگ بودن خازن داخلی IGBT نسبت به فرکانس سویچ )کاری بر نمیاد
        این مورد تنها روی BJT موثر هست هیچ ربطی به ماسفت و IGBT نداره محدودیت سرعت IGBT به خیلی چیزای دیگه مربوط میشه.

        اگر شاد بودی آرام بخند تا غم بیدار نشود

        دیدگاه


          #5
          پاسخ : پاسخ : خازن SPEED UP و IGBT

          نوشته اصلی توسط Ghasede del
          این مورد تنها روی BJT موثر هست هیچ ربطی به ماسفت و IGBT نداره محدودیت سرعت IGBT به خیلی چیزای دیگه مربوط میشه.
          خواهش میکنم دلیل علمی بیارین اینکه همینجوری بگید مال igbt هست منو ببخشید ولی برام قابل قبول نیست

          دیدگاه


            #6
            پاسخ : پاسخ : خازن SPEED UP و IGBT

            نوشته اصلی توسط amin11
            خواهش میکنم دلیل علمی بیارین اینکه همینجوری بگید مال igbt هست منو ببخشید ولی برام قابل قبول نیست
            در IGBT و MOSFET درایور باید مقدار باری که باید در ورودی این سویچها ذخیره بشه که با Qg مشخص میشه تامین کنه مقدار جریان دهی درایور و مقدار مقاومت گیت تاخیر رو مشخص میکنه .
            اما در BJT پتانسیل سد در برابر افزایش ولتاژ مقاومت میکنه و خازن باعث یک ضربه اولیه میشه که پتانسیل سد شکسته شده و مقاومتش از بین میره در لحظه خاموش سازی
            هم بایک ضربه منفی باعث ایجاد سریعتر پتانسیل سد میشه.
            موفق باشید.

            اگر شاد بودی آرام بخند تا غم بیدار نشود

            دیدگاه


              #7
              پاسخ : پاسخ : پاسخ : خازن SPEED UP و IGBT

              نوشته اصلی توسط Ghasede del
              در IGBT و MOSFET درایور باید مقدار باری که باید در ورودی این سویچها ذخیره بشه که با Qg مشخص میشه تامین کنه مقدار جریان دهی درایور و مقدار مقاومت گیت تاخیر رو مشخص میکنه .
              اما در BJT پتانسیل سد در برابر افزایش ولتاژ مقاومت میکنه و خازن باعث یک ضربه اولیه میشه که پتانسیل سد شکسته شده و مقاومتش از بین میره در لحظه خاموش سازی
              هم بایک ضربه منفی باعث ایجاد سریعتر پتانسیل سد میشه.
              موفق باشید.
              ممنون ولی قانع نشدم چون برای ما در igbt ولتاژ گیت مهم هست که ظرفیت خازنی روی گیت امیتر باعث میشه ولتاژ گیت امیتر آهسته تغییر کنه که این مطلوب نیست حالا یک خازن سری به خوبی میتونه جریان مصرفی ماسفتو بده و بارو سریعا Qq برسونه و در لحظه ی وصل سریعا خازن روی گیت امیترو شارژ کنه و ولتاژ کیتو سریعا تغییر بده در لحضه ی قطع هم که معلوم هست

              دیدگاه


                #8
                پاسخ : پاسخ : پاسخ : خازن SPEED UP و IGBT

                نوشته اصلی توسط amin11
                ممنون ولی قانع نشدم چون برای ما در igbt ولتاژ گیت مهم هست که ظرفیت خازنی روی گیت امیتر باعث میشه ولتاژ گیت امیتر آهسته تغییر کنه که این مطلوب نیست حالا یک خازن سری به خوبی میتونه جریان مصرفی ماسفتو بده و بارو سریعا Qq برسونه و در لحظه ی وصل سریعا خازن روی گیت امیترو شارژ کنه و ولتاژ کیتو سریعا تغییر بده در لحضه ی قطع هم که معلوم هست
                ببین دوست عزیز با کم کردن مقاومت گیت میتونید سرعت شارژ خازن ورودی سویچ رو بالا ببرید اما تاثیری در سرعت سویچ نداره .
                همچنین قرار دادن خازن هم بی تاثیره.
                مشکل شما اینه که سرعت سویچ رو فقط وابسته به سرعت شارژ خازن ورودی سویچ میدونید.که اینطور نیست.
                عواملی که در سرعت سویچ موثر هستن:
                Ton-----Toff-------Tr-------Tf--------IC---------UC-----------Rg----------Eon--------Eoff
                البته مواردی هست که خازن استفاده میشه نه برای این منظور.
                یکی از دلایلی که فرکانس مجاز در دیتاشیت اکثرآ ذکر نمیشه همینه
                چون مقدار زیادی حداکثر فرکانس سویچ تابع طراحی هست.

                اگر شاد بودی آرام بخند تا غم بیدار نشود

                دیدگاه


                  #9
                  پاسخ : خازن SPEED UP و IGBT

                  چرا تو هیچ شماتیکی این کارو برای IGBT انجام ندادن؟
                  شما نمیتونید یه خازن رو با هر سرعت که دوست دارید شارژ کنید چون هر خازن موقعی که دشارژه اتصال کوتاه و بیشترین جریان رو از خودش عبور میده و خراب میشه.خازن گیت امیتر هم همینطوره و Dv/Dt بالا باعث عبور جریان بالا و خراب شدن خازن گیت امیتر میشه.یکی از دلایل قرار گرفتن مقاومت Rg در ورودی هم همینه.

                  دیدگاه


                    #10
                    پاسخ : خازن SPEED UP و IGBT

                    نوشته اصلی توسط B2
                    شما نمیتونید یه خازن رو با هر سرعت که دوست دارید شارژ کنید چون هر خازن موقعی که دشارژه اتصال کوتاه و بیشترین جریان رو از خودش عبور میده و خراب میشه.خازن گیت امیتر هم همینطوره و Dv/Dt بالا باعث عبور جریان بالا و خراب شدن خازن گیت امیتر میشه.یکی از دلایل قرار گرفتن مقاومت Rg در ورودی هم همینه.
                    منم نظرم همینه
                    به هر حال دوستان نظرات دیگه ای اگه دارن بدن ممنون میشم

                    دیدگاه


                      #11
                      پاسخ : خازن SPEED UP و IGBT

                      نوشته اصلی توسط B2
                      شما نمیتونید یه خازن رو با هر سرعت که دوست دارید شارژ کنید چون هر خازن موقعی که دشارژه اتصال کوتاه و بیشترین جریان رو از خودش عبور میده و خراب میشه.خازن گیت امیتر هم همینطوره و Dv/Dt بالا باعث عبور جریان بالا و خراب شدن خازن گیت امیتر میشه.یکی از دلایل قرار گرفتن مقاومت Rg در ورودی هم همینه.
                      BSM300GA120 تو دیتا شیت Rg مقدار 3.3 اهم در نظر گرفته شده با توجه به اینکه ولتاژ گیت میتونه 15+ و-15 باشه پیک جریان شارژ 9 آمپر خواهد بود
                      شما نگران سوختن خازن های ورودی سویچ نباش چون کمتر کسی تو این انجمن میتونه همچین درایوری بسازه.
                      من بیشتر نگران سوختن درایور هستم .
                      ممنون ولی قانع نشدم
                      امروز داشتم کتاب منابع تغذیه سویچینگ دکتر ابریشمی فر رو ورق میزدم در صفحه 136 جواب شما داده شده
                      میتونید به این کتاب مراجعه کنید اگر باز قانع نشدین بهتر یه وقت ملاقات با جناب مارتی براون بگیرید
                      اگر باز قانع نشدین ................ :redface:

                      اگر شاد بودی آرام بخند تا غم بیدار نشود

                      دیدگاه


                        #12
                        پاسخ : خازن SPEED UP و IGBT

                        منم نظرم همینه
                        خوب بقیه هم همونی که من گفتمو گفتن دیگه پس مشکلت چیه؟؟!
                        شما نگران سوختن خازن های ورودی سویچ نباش چون کمتر کسی تو این انجمن میتونه همچین درایوری بسازه.
                        خوب این به این خاطره که کمتر کسی تو انجمن این قطعه گردن کلفت رو از نزدیک دیده سوزوندن bup خیلی راحت تره :icon_razz:

                        دیدگاه


                          #13
                          پاسخ : خازن SPEED UP و IGBT

                          منظورم از اینکه دیگه نظرات چیه این بود که دوستان دیگه ای دلایل دیگه ای هم اگه دارن مطرح کنن قصد جسارت به کسیو نداشتم لطفا اگه کسی نظر دیگه ای هم داره مطرح کنه خوشحال میشم

                          دیدگاه


                            #14
                            پاسخ : خازن SPEED UP و IGBT

                            سلام.
                            کلا فلسفه وجودی IGBT برای این بوده که اون خازن بیس رو نذارن!

                            اگر نگاهی به ساختار داخلی IGBT بندازیم میبینیم که این سوییچ تشکیل شده از دو قسمت اصلی :ماسفت در ورودی و BJT در خروجی.بااین ترکیب سرعت سوییچینگ بیشتر شده و باطبع تلفات فرکانس سوییچ کمتر شده.(در مقایسه با BJT .

                            در ضمن میتوان IGBT ,MCT را هم مقایسه نمود:
                            http://books.google.com/books?id=eS1z95mzi28C&pg=PA126&lpg=PA126&a mp;dq=mct+characteristics&source=bl&ots=G0 Mvk4xLDA&sig=z5b8hbJl0kHiTdEArhNt-oTIfr0&hl=en&sa=X&ei=q8tpUZreJNDZsgacl oCIBw&ved=0CEQQ6AEwBQ#v=onepage&q=mct%20ch aracteristics&f=false

                            http://www.get.bme.hu/edu/subjects/VIAU0030/final/3.2_PSD_Dudrik_EN_FINAL/html/sekundarne/3_sek_en.htm
                            و
                            MOS – Controlled Thyristor (MCT)

                            Out of many semiconductor controlled devices, MCT is considered to be the latest. The device is basically a thyristor with two MOSFET’s built into the gate structure. A MOSFET is used for turning ON the MCT and another one is used for turning it OFF. The device is mostly used for switching applications and has other characteristics like high frequency, high power, and low conduction drop and so on. An MCT combines the feature of both conventional four layer thyristor having regenerative action and MOS- gate structure. In this device, all the gate signals are applied with respect to anode, which is kept as the reference. In a normally used SCR, cathode is kept as the reference terminal for gate signals.

                            In practice, a MCT will include thousands of these basic cells connected in parallel, just like a PMOSFET. This helps in obtaining a high current carrying capacity for the device.


                            It consists of an ON-FET, an OFF-FET and two transistors. The MOS structure of the MCT is represented in the equivalent circuit. It consists of one ON-FET, a p-channel MOSFET, and an OFF-FET. Both n-p-n and p-n-p transistors are joined together to represent the n-p-n-p structure of MCT. An n-channel MOSFET is represented by drawing the arrow towards the gate terminal. A p-channel MOSFET is indicated by drawing the arrow away from the gate terminal. The two transistors in the equivalent circuit indicate that there is regenerative feedback in the MCT just as it is an ordinary thyristor. The circuit symbol of MCT is shown below.

                            Turning ON Process

                            The device is turned ON by a negative voltage pulse at the gate with respect to the anode. For turning ON MCT, gate is made negative with respect to anode by the voltage pulse between gate and anode. So, MCT must be initially forward biased, and then only a negative voltage be applied. With the application of this negative voltage pulse, ON-FET gets turned ON whereas OFF-FET is already OFF. With ON-FET ON, current begins to flow from anode A, through ON-FET and then as the base current and emitter of n-p-n transistor and then to cathode K. This turns on n-p-n transistor. This causes the collector current to flow in n-p-n transistor. As OFF FET is OFF, this collector current of npn transistor acts as the base current of p-n-p transistor. Subsequently, p-n-p transistor is also turned ON. If both the transistors are ON, regenerative action of the connection scheme takes place and the MCT is turned ON.

                            Turning OFF process

                            The device is turned OFF by applying a positive voltage pulse at the gate. The positive voltage pulse causes the OFF-FET to turn ON and ON-FET to turn OFF. After OFF-FET is turned ON, emitter based terminals of p-n-p transistor are short circuited by OFF-FET. So, now anode current begins to flow through OFF-FET and thus base current of p-n-p transistor begins to decrease. The device has the disadvantage of reverse voltage blocking capability.

                            Advantages of MCT

                            Low forward conduction drop
                            Fast TURN-ON and then OFF times
                            Low switching losses
                            High gate input impedance

                            موفق باشید.
                            من دریافته ام که ایده های بزرگ هنگامی به ذهن راه می یابند که اراده کنیم چنین ایده هایی را داشته باشیم. "چارلز چاپلین "

                            دیدگاه


                              #15
                              قرار دادن دو دیود به جای یک دیود

                              سلام یه سوال مهم در مورد دیود دارم
                              اگر توی یه مدار یکسوساز مثبت به جای یه دیود دو دیود به صورت سری اضافه کنیم شکل موج خروجی چه تغییری می کنه؟ این مدل بستن فایده ای داره؟
                              سری یا موازی کردن دیودها توی مدارات یکسوساز به چه منظورهایی بکار میره؟
                              لطفا زود پاسخ بدید وقتم خیلی کمه :angry:

                              دیدگاه

                              لطفا صبر کنید...
                              X