سلام خدمت مهندسین انجمن.
میخواستم بدونم راهی هست بشه با ترانزیستوBJT npn یا FET n-ch طوری عمل کلید زنی رو انجام داد که ولتاژ تحریک کننده ترانزیستور از ولتاژی که قراره ترانزیستور اونو کنترل کنه جدا باشه یعنی زمین مشترک نداشته باشن؟
میخواستم بدونم راهی هست بشه با ترانزیستوBJT npn یا FET n-ch طوری عمل کلید زنی رو انجام داد که ولتاژ تحریک کننده ترانزیستور از ولتاژی که قراره ترانزیستور اونو کنترل کنه جدا باشه یعنی زمین مشترک نداشته باشن؟
دیدگاه