با سلام خدمت اساتید محترم.
برای جایگزین کردن سوئیچ قدرت MOSFET مانند (IRF840) با ترانزیستور BJT مانند 13009 در مدارهای سوئیچینگ ( نیم پل ) چه ملاحظاتی باید رعایت شود.
نکته : ترانزیستور و ماسفت عنوان شده صرفا" به منظور توضیح دقیق تر بود.
نکته : بیشتر مبحث مربوط به درایو کردن سوئیچ مد نظرم هست. مثلا" با TL494 یا IRS2153 .
ملاحظاتی که تا این لحظه میدانم :
عموما" تلفات در ماسفت کمتر هست و ترانزیستور بیشتر داغ میشه که در نتیجه باید از هیت سینک بزرگتر استفاده کرد.
توجه به جریان و ولتاژ کنترل کننده . چون BJT ها با جریان و MOSFET ها با ولتاژ درایور میشوند.
با تشکر.
برای جایگزین کردن سوئیچ قدرت MOSFET مانند (IRF840) با ترانزیستور BJT مانند 13009 در مدارهای سوئیچینگ ( نیم پل ) چه ملاحظاتی باید رعایت شود.
نکته : ترانزیستور و ماسفت عنوان شده صرفا" به منظور توضیح دقیق تر بود.
نکته : بیشتر مبحث مربوط به درایو کردن سوئیچ مد نظرم هست. مثلا" با TL494 یا IRS2153 .
ملاحظاتی که تا این لحظه میدانم :
عموما" تلفات در ماسفت کمتر هست و ترانزیستور بیشتر داغ میشه که در نتیجه باید از هیت سینک بزرگتر استفاده کرد.
توجه به جریان و ولتاژ کنترل کننده . چون BJT ها با جریان و MOSFET ها با ولتاژ درایور میشوند.
با تشکر.
دیدگاه