نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

[induct]

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

فصل چهارم : درایو کردن ترانزیستور IGBT برای سوییچینگ قدرت


برای درایو کردن تمام ترانزیستور کافی است ماهیت ورودی آنها به طور کامل مورد بررسی قرار گیرد .
در ترانزیستور igbt باید مدار قرار گرفته بین دو پایه ی گیت و امیتر مورد توجه قرار گیرد تا این مشخصات باعث ایجاد مشکلات در درایو کردن این ترانزیستور نشود.
با توجه به ساختار داخلی igbt مدار قرار گرفته شده بین دو پایه ی گیت و امیتراز یک خازن تشکیل شده که بار الکتریکی ذخیره شده در این خازن در نیمه هادی نوع p و صفحه ی خازنی گیت می باشد.
این ترازیستور ها ترانزیستور تحت تاثیر میدان الکتریکی می باشند و میدان الکتریکی تولید شده در این ترانزیستورها به وسیله ی شارژ و دشارژ شدن خازن ساختار داخلی این المان ها انجام می پذیرد. ثابت زمانی شارژی و دشارژی در خازن ورودی توسط حاصل ضرب ظرفیت خازنی گیت امیتر و مقاوت سری شده با آن بدست می آید هر چقدر زمان این ثابت زمانی کمتر باشد سوییچینگ با کیفیت بالا تر و به صورت صفر و یکی کامل انجام می شود .

[induct]

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

شکل بالا نشان دهنده ی شکل موج مربعی ساخته شده توسط درایور و شکل موج دو سر خازن گیت امیتر می باشد.
در صورتی که این شکل موج نمایی دو سر گیت و امیتر زمانی در حدود 5% پهنای پالس تحریک داشته باشد سوییچینگ قابل قبول می باشد.
برای اندازه گیری ظرفیت خازنی ورودی این ترانزیستور به صورت دقیق و عملی یک مولد پالس pwm را به صورت سری با یک مقاومت دقیق می بندیم و آن را به ورودی ترانزیستور وصل می کنیم پهنای پالس را به قدری کاهش می دهیم که زمان ثابت زمانی شارژ برابر پهنای پالس شود آنگاه زمان ثابت زمانی شارژ به صورت دقیق اندازه گیری میکنیم و از رابطه ی T =R . C جهت محاسبه ی ظرفیت خازنی ورودی استفاده می کنیم.
در نتیجه مواردی که برای درایو کردن این ترانزیستور باید مورد توجه قرار گیرد عبارتبد از:
1)درایور باید توانایی تامین جریان درایو ترانزیستور قدرت را داشته باشد
2)درایور توانایی تولید شکل موج مربعی را به طور مناسب داشته باشد
3)مقاومت سری شده در ورودی ترانزیستور تا حد تا ممکن کم شود
4)مسیر دشارژ شدن خازن ورودی و خاموش کردن ترانزیستور مدار جدا و با مقاومت بسیار پایینی باشد.
5) بر اساس جریان قسمت قدرت دامنه ی موج ورودی ترانزیستورتنظیم گردد.

[mrh]

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

سلام . امیدوارم حالت خوب باشه . من رشته ام الکترونیکه ولی زیاد مثل شما اساتید قدرت تحلیل ندارم . لطفا اگه می تونی یه مقاله جمع و جورشده درست کنی بذاری ممنونت می شم چون باید احتمالا این جونورو (IGBT ) باید کنفرانس بدم . راستی اگه تونستی هتمن یک کتاب براش معرفی کن . اگه تونستی شرمنده : همه ایتارو به ایمیل :
www.hamid1105110@yahoo.com
بفرستی ممنونت می شم .

[Reza Khan]

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

سلام امیر جان
من برای درایو کردن ماس فت و igbt ها درایور قرینه مکمل(فارسی را پاس بداریم) با ترانزیستور های bjt را ترجیح میدهم چون پاسخ سریعتری دارن.
اینم نظر :icon_razz: کارتو ادمه بده و دلسرد نشو.
موفق باشی

[induct]

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

با عرض سلام
خیلی ممنون از نظر آقا رضا
راستش من در ساخت درایور در ابتدای کار از bjt استفاده می کردم
ولی احساس کردم در فرکانس های بالا پاسخ مناسبی نداره
در نتیجه سراق ماسفت رفتم ...
در مورد ترانزیستور ها می تونم بگم زمان روشن شدن و خاموش شدن اونها
در سرعت عملکرد و پاسخ گویی در فرکانسهای بالا موثره
این منحنی که در المان های سوییچ به یک صورته و تنها در مدت زمان متفاوت هست به نوع ترانزیستور و بار مدار بستگی داره...
شکل این منحنی به صورته:



در این منحنی ton زمان رسیدن جریان به مقدار ماکس و روشن شدن کامل ترانزیستوره
tr زمان احیا و بازیابی ساختار ترانزیستور در هنگام خاموش شدنه
trr زمان بازیابیه معکوس ترانزیستوره که دلیل اون دشارژ شدن خازن های ساختار داخلیه ترانزیستوره
igbt ترانزیستور سریعی در عملکرد است چون که زمان بازیابی در این ترانزیستور خیلی کمه
در نتیجه این ترانزیستور در فرکانسهای بالا عملکرد مناسبی داره...

[faraday]

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

متشکرم از نظراتتون
غافل گیرم کردین :cry2: :cry:

عجب مقاله دسته جمعی ای شده! :cry:
من که اسمم رومه (تازه وارد) ولی چرا بقیه تشریف نمی آرن؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟

[alivip]

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

http://www.eca.ir/forum2/index.php?topic=14349.0

چشم..ادامشو اینجا می نویسم..
از پاسخت ممنون.. ولی من مثل اینکه نتونستم سوال رو خوب مطرح کنم. چون من یا این مدا آشنایی دارم..ولی همین مدار معادلم اگه بخوای شبیه سازی کنیش باید از sim power box استفاده کنی که قابل اتصال به box سیگنالی نیستند.

[Shahin_Bahrami]

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

امیر آقای عزیز
درسته که ما هنوز نظری ندادیم اما داریم با تو میآییم و استفاده میکنیم. از لطفت ممنونم. من یکبار با IGBT یک اینورتر تمام پل با PWM سینوسی 10-100 هرتز ساختم البته بار من مقاومتی بود هر جا که لازم بود وارد بحث میشوم . در ضمن درایور من IR2110 بود.

[abdolvahid]

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

استاد عزیز امیر آقا سلام
آقا ما کوچلوتر از این حرفهاییم که نظر بدیم
ما داریم استفاده می کنیم .....یا علی مدد.....

[sabaghifar]

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

سلام به همه دوستان
دست همگی درد نکنه سراغ مبحث جالب و کاربردیی رفتید :applause:
اول می خواستم دوستانی که از igbtدر کاربردهای مختلف استفاده کردند نمونه مدارشو بزارند تو سایت
بعدش یه سوال داشتم: یکی از کاربردهای ترانزیستور کلید زنی است و زمانی که در این کاربرد استفاده میشه کلکتور وامیتر با هم تقریبا هم پتانسیل میشه.
آیا igbt برای کلیدزنی acمیتونه استفاده بشه؟ یعنی کلکتور را به ولتاژ 220v ac وصل کنم.

[induct]

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

با سلام خدمت شما
در مورد سوالتون igbt یه ترانزیستور قطبی فایلد افکته
یعنی مثل ترانزیستور های npn و pnp فقط می تونه سوییچینگ dc انجام بده
موفق باشید
راستی دوستان منتظر مطالب جدید و جالبی در مورد igbt های سه فاز در این بخش باشید
( بازم یه تکنولوژی جدید ) :job: :nerd:

[mbntechco]

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

سلام خدمت دوستان عزیز.عاشقان فنون جدید.حقیقتا آقا امیر خیلی زحمت کشیدن و این مطالب رو ارائه کردن.این واسه شخص من که خیلی جذاب بود.من تو یک پروژه می خواستم که دور الکتروموتور سه فاز رو کم کنم.مدار من از چهار بخش تشکیل می شد.مدار تغذیه که جریان dcلازم رو تامین میکرد.مدار pwm که از آی سی MC3PHAC تشکیل می شد.مدار راه انداز گیت igbt که از آی سی ir2130 استفاده کردم و در آخر هم
مدار igbt که بصورت پل به سه ورودی موتور سه فاز متصل میشد.همه اینها رو گفتم ولی فکر نکنید که سیستم دور موتور رو کم یا زیاد کرد :cry2: نه سیستم لطف کرد و در کسری از ثانیه منهدم شد ولی ارزش
اینرو داشت که حتی اگر مبلغی هم سوخت شده من تحقیقی هر چند ناقص و ناکافی در باره این قطعات نایاب در بازار ایران داشته باشم.بازهم از جسارتی که امیر خان به خرج دادن و این مطالب رو ارائه کردن کمال تشکر رو دارم و امیدوارم از تجربیات عملی در استفاده از igbt مارو بی نسیب نگذاره.ببخشید که زیاد حرف زدم

[arminmostafavi]

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

سلام مرسی از اینکه اینقدر زحمت میکشید واقعا تو بحث IGBT که الان تو صنعت کولاک میکنه جای یه همچین چیزی خالی بود
در مورد درایو کردن این موجودات حساس تو حالت سوئچینگ خطی خیلی موضوع کم هستش الاخصوص تو حالت high خیلی خوبه اگه بشه تو این باره هم هم فکری کرد .....شخصا خیلی تلاش کردم اما سعی خطا تو این مورد خیلی هزینه داره نتونستم ادامه بدم ارزون ترین IGBT رو خریدم برای تست اما خیلی حساس بودن خیلییییییییییییییییی انقدر سریع آسیب میبینن که باور کردنی نیست......
به همین خاطر بیخیال شدم تا یه کم علمم زیاد شه تو این باره........بعد دوباره سعی کنم
در هر حال موفق باشین ما دنبال رو شما هستیم ...... :applause:

[arminmostafavi]

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

خاستم بیشتر گفته باشم مدی که میگم اینه البته ابن تئوری هستش اما کلیش اینه موضوع هم درایو طبقه بالاست تمام داستان اون خازنست c1 که تا حالا نتونستم فرمول درستی برای اون پیدا کنم.


[ftp=ftp://http://www.4shared.com/file/65539508/a7d84a65/igbt.html]http://www.4shared.com/file/65539508/a7d84a65/igbt.html
[/ftp]

[alnz]

پاسخ : نوشتن مقاله ی دسته جمعی در مورد IGBT

سلام
واسه آزمایشگاه الک صنعتی باید یک IGBT رو بدون استفاده از ای سی های گیت درایور راه اندازی کنم . اگه کسی می تونه یه مدار اماده واسم بذاره ممنون می شم . :cry: