آسیب دیدن قسمتی از برنامه داخل atmega8 پس از مدتی

[DDR3]

پاسخ : آسیب دیدن قسمتی از برنامه داخل atmega8 پس از مدتی

عرضم به حضورت که موردی که گفتی تقریبا مطمئن هستم
اما چرا قبلا نمیشد.از نظر من همونطور که دوستان گفتن جنس قطعات خیلی مهمه
که الان تقریبا خیلی هاشون واقعا تعطیل هستن.من اینو خودم تو شرایط زیادی دیدم.و میکرو جنس بد می تونه یکی از عواملش باشه.
برنامه ای گفتم
فقط از میکرو میخوند و هیچ جایی اصلا نوشتنی در کار نبوده.

[dariush_abbasi868]

پاسخ : آسیب دیدن قسمتی از برنامه داخل atmega8 پس از مدتی

با سلام و تشکر
اگه اشتباه نکنم از فرکانس 4 مگ استفاده می کنه و البته هم از تایمر و هم از adc استفاده شده ولیکن از تایمر کار دقیقی نخواستم فقط یک اینتراپت در حدود هر 1 ثانیه یکبار که باید چیزی را چک کند و این زمان اصلا مهم نیست که 2 ثانیه باشد یا نیم ثانیه .

[پروفسور]

پاسخ : آسیب دیدن قسمتی از برنامه داخل atmega8 پس از مدتی

میدونید من چند سال پیش یه کاری با میکرو انجام دادم
ولی وقتی اونوتوی محیط صنعتی بردم رفتار عجیبی ازخودش نشون داد
البته من از کریستال و انواع فیلترهای پایین گدز استفاده کردم
هرچی بلا بود سرش اوردم بهتر میشد ولی باز ادا در میاورد

[Solsal]

پاسخ : آسیب دیدن قسمتی از برنامه داخل atmega8 پس از مدتی

:NO:با سلام

پیرو سئوال دوستان، با این مضمون:

آیا تابش الکترومغناطیسی یا میدان مغناطیسی متناوب( نه میدان آهنربایی ثابت و ساکن ) می تواند باعث پاک شدن فلش میکرو یا آسیب دیگر شود؟

جواب :

تابش الکترو مغناطیسی مانند انتشار توان از آنتن موبایل و بی سیم و فرستنده ها
و نیز میدان مغناطیسی متناوب مانند میدان درون روتور و استاتور موتور AC و نیز ترانسفور ماتور ها و نیز کنتاکتور و کلید قدرت و کابل حامل جریان ،( به شرطی که نشتی میدان از مسیرهای آهنی داشته باشیم )

به شرط اینکه توان کافی داشته باشند تا در نیمه هادی SUBSTARATE میکرو ، و نیز در مدارات طولانی تر درون میکرو، جریانهای القایی گردابی تولید کنند،
(مثل همان که در ترانسفورماتور ها و موتورهای AC باعث شد تا آهن را لایه لایه و ... کنیم )
و اگر بخشی از این جریانهای گردابی از مسیرهایی عبور کنند که حاصلضرب مقاومت در جریان = ولتاژ بالایی و در نتیجه توان بالایی تولید شود ، آنگاه:

1- نویز خفیفی که گاهی باعث هنگ و نهایتا ریست واچداگ می شود.
2- نویز کمی قوی، که باعث اختلال و عدم عملکرد حتی واچداگ می شود( مثلا تایمر خاموش نشدنی واچداگ را از کار می اندازد یا مدارات به ریست واکنش نشان نمی دهند.)
3- نویز قوی تر که باعث رسیدن ولتاژ به سطوح پاک شدن حافظه فلش می شود.، یا آدرس اجرای برنامه را به محل نابجا منتقل می کند و دستگاه رفتار عجیب از خود نشان می دهد.
4- نویز کمی مخرب که باعث ایجاد توان و گرمای کافی برای از بین رفتن خواص P , N , عایقی ، به صورت محدود می شود.( مشابه سوختن چند پین پورت از یک میکرو )
5- نویز مخرب کامل که نیمه هادی را به دمای ذوب رسانده و تخریب کامل می کند.( مانند بمب الکترومغناطیسی )
6- تبخیر کامل.....!

توجه داریم که توسط میدان متناوب مغناطیسی در ژنراتور ها از مثلا 1000 وات پرتابل بنزینی ، تا 500 مگاوات نیروگاهی ،
توان منتقل می شود. بنابراین ، نشت درصدی ناچیز از توانهای بزرگ( میدان مغناطیسی متناوب)، می تواند خسارات زیادی تولید کند.

یکی از دلایلی که بعضی از قطعات نظامی را با پوشش بدنه فلزی می بینید، مقابله با نویز های القایی شدیدتر است.
یا بعضی دستگاههای آزمایشگاهی برند معروف، در چندین لایه کیس فلزی قرار داده می شوند، کاهش نویز ها تا حداکثر ممکن می باشد.

با سپاس

پ.ن:

روش تولید استوانه نیمه هادی و خالص سازی آنرا در اینجا و ویکیپدیا ببینید،( همان ئقطعه که برش خورده و صفحات شکی CD ( ویفر ) برای ساخت آی سی فراهم می کند.
مراحل خالص سازی که از عبور آرام استوانه مثلا با قطر 15 سانتی متر و طول یک متر ، از میان حلقه دارای جریان متناوب که باعث ذوب مقطع استوانه و جمع شدن و حرکت ناخالصی ها به سمت انتهایی می شود.

یا کوره های القایی....

پس فلش و نیمه هادی به این ترتیب قابل انهدام می باشد....