محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

[عباس جبراییلی]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

شما باید برای گیت ولتاژ 15 وات در خروجی درایور داشته باشید برای تغذیه کنترلر هم میتوانید از یک رگولاتور 7809 استفاده نمایید.و در قسمت درایور ترانس انرا به صورت افزاینده بپیچید.ولی بهتر بود که کاربرد مدار را بیشتر توضیح میدادید.زیرا استفاده از فول بریج در ولتاژ پایین برای توان بالا توصیه نمیشود و بهتر است از پوش پول استفاده شود.

[roboreza]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

سلام
آقای جبرائیلی این ماسفت هایی مثل IRF1404 که نوشته 160 آمپر میده توی چه شرایطی این جریان رو میده؟ در صورتی که پکیج اون اصلا به این جریان ها نمیخوره!!
برای ولتاژ حداکثر 30 ولت و جریان 70 80 آمپر با فرکانس 30 کیلوهرتز برای درایو موتور چه نوع سوییچی مناسب تره؟ آیا igbt با چنین توانی با پکیج to220 هست؟

[محسن محمدشاهی]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

سلام استاد جبراییلی عزیز. از پست های خیلی خوبتون متشکرم. میبخشید خارج از موضوع سوال میپرسم. در دیتاشیت ماسفت هایی با بسته های to220 مثل IRF3205 و IRF1404در جدول Drain Current و Case Temprature یه جایی از جدول با پیکانی کوچک نوشته limited by package و جریان 75 آمپر را مشخص کرده. برای بسته های to247 مثل IRFP064 هم 105 آمپر. 1-آیا منظور همان جریان قابل تحمل پایه های آن در حالت continuious drain current هست؟ 2-در حالت pulsed با توجه به دیوتی سایکل و فرکانس چظور محاسبه میشود؟ 3-آیا مثلا با اضافه کردن مایعی خنک کننده به ماسفت و پایه های آن و سرد سازی ایده آل باز هم این محدودیت ها وجود دارد؟
با سپاس

[عباس جبراییلی]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

http://www.aosmd.com/res/application...uous_drain.pdf
lمحدودیت جریان در ماسفت به چند عامل بستگی دارد1- مقاومت حرارتی بین نیمه هادی و محیط 2-سیمهای اتصال دهنده داخلی-ماده ای که بدنه از ان ساخته شده و تحمل دمایی ان.هر کدام از این عوامل که زودتر به محدودیت خود برسند باعث میشود که جریان ماسفت محدود شود.برای مثال مقاومت حرارتی بین نیمه هادی و محیط یک ماسفت 3205 http://www.irf.com/product-info/data...ta/irf3205.pdfحدود 65 درجه بر وات میباشد همانطور که میدانید مقاومت حرارتی نیمه هادی و محیط برابر است با مجموع مقاومت حرارتی های نیمه هادی و بدنه +بدنه و هیت سینک+هیت سینک و محیط و این یعنی اینکه شما هر هیت سینکی هم که به کار ببرید این مقاومت کمتر از این مقدار نخواهد شد.حال با فرض همان 65 درجه بر وات برای ماسفت 3205 محاسبات را انجام میدهیم-جریان دائم ان 80 امپر است و مقومت درین سورس ان 8 میلی اهم توان برابر است با 8 میلی اهم ضربدر 80 ضربدر 80 برابر است با 51 وات--از رابطه مقومت حرارتی داریم توان برابر است با اختلاف دما تقسیم بر مقاومت حرارتی داریم---اختلاف دما برابر است با توان ضربدر مقاومت حرارتی---میشود 51ضربدر 65 که میشود3315 درجه که خیلی زیاد است و قبل از رسیدن به این دما ماسفت خواهد سوخت پس برای اینکه اختلاف دما در حد مجاز بماند یعنی 150 درجه توان را بدست میاوریم که میشود 150 تقسیم بر 65 میشود 2.3 وات و از انجا جریان را محاسبه میکنیم میود جذر 2.3 تقسیم بر 8 میلی اهم که میشود11.8 امپر یعنی شما بیش از 11.8 امپر نمیتوانید از این ماسفت عبور دهیدhالبته بدون هیت سینک. ممکن است در محاسبات دما ها خیلی دقیق در نظر گرفته نشده باشد ولی تا حدود85 درصد درست میباشد. فقط در صورتی میتوانید ان جریان 80 امپر را از ماسفت بگیرید که دمای نیمه هادی را بتوانید در 25 درجه ثابت نگه دارید که نیاز به سیستم خنک کننده خوبی دارد.اینها برای حالتی بود که ماسفت را در هوای ازاد داشته باشیم --حالتی را در نظر بگیریم که بدنه را در جایی قرار داده ایم که دمای بدنه از حد مجاز تجاوز نکند در اینصورت با استفاده از مقاومت حرارتی بین نیمه هادی و بدنه محاسبات را انجام میدهیم مقاومت حرارتی بین نیمه هادی و بدنه 0.5 میباشد اگر اختلاف مای بدنه و نیمه هادی 150 باشد تقسیم بر 0.5 میشود 300 وات که بیشتر از حد مجاز تلفات توان ماسفت میباشد حد مجاز توان 200 وات است حال با این فرض که توان 200 وات و اختلاف دما 150 درجه است جریان را بدست میاوریم 200 برابر است با مقاومت درین سورس ضربدر جریان بتوان 2 که داریم مقاومت درین سورس در 150 درجه برابر است با 16.5 اهم لذا جریان برابر است با 110 امپر.یعنی اگر بتوان دمای بدنه را در 25 درجه نگه داشت میتوان جریان 110 امپر از ان کشید.و با نصب یک هیت سینک مناسب میتوانید تا 50 امپر از ان عبور دهید.

[roboreza]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

ممنون از پاسختون
لطفا این سوال رو هم جواب بدید:

برای ولتاژ حداکثر 30 ولت و جریان 70 80 آمپر با فرکانس 30 کیلوهرتز برای درایو موتور چه نوع سوییچی مناسب تره؟

[عباس جبراییلی]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

برای روشنتر شدن موضوع همان 3205 را در نظر بگیرید میخواهیم بدانیم با چه هیت سینکی میتوان جریان زیادتری از ان گرفت---در حالت عادی دمای مجاز طراحی را 80 درجه برای بدنه در نظر میگیریم با توجه به منحنی جریان -دما میبینیم که جریان مجاز در دمای 80 درجه بدنه برای این ماسفت برابر است با 75 امپر --که تلفات ان برابر است با 75 به توان دو ضربدر مقاومت درین سورس در 80 درجه که مقاومت درین سورس برابر است با حدود 1.4 برابر 8 میلی اهم یعنی 11.2 میلی اهم که توان ان میشود 75 به توان دو ضربدر 11.2 میلی که میشود63 وات--حال به محاسبه هیت سینک میپردازیم دمای محیط را 50 درجه در نظر میگیریم از رابطه مقاومت حرارتی داریم مجموع مقاومت حرارتی ها تا محیط برابر است با اختلاف دما تقسیم بر توان --------دمای مجاز نیمه هادی را با 20 درصد اطمینان محاسبه میکنیم 175 منهای 20 درصد ان میشود 140 درجه بنابراین اختلاف دمای نیمه هادی با محیط برابر است با 140-50=90 درجه-- مقاومت حرارتی نیمه هادی با بدنه +مقاومت بدنه با هیت سینک +مقاومت هیت سینک با محیط برابر است با 0.75+0.5+هیت سینک=1.25+هیت سینک حال داریم اختلاف دما تقسیم بر توان برابر مقاومت حرارتی ===>>>90 تقسیم بر 63=1.25+هیت سینک=======>>>1.43=1.25+هیت سینک------هیت سینک برابر است با 0.178 که این برای یک ماسفت است که هیت سینک خیلی بزرگی است.

[ebismps]

پاسخ : پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

برای روشنتر شدن موضوع همان 3205 را در نظر بگیرید میخواهیم بدانیم با چه هیت سینکی میتوان جریان زیادتری از ان گرفت---در حالت عادی دمای مجاز طراحی را 80 درجه برای بدنه در نظر میگیریم با توجه به منحنی جریان -دما میبینیم که جریان مجاز در دمای 80 درجه بدنه برای این ماسفت برابر است با 75 امپر --که تلفات ان برابر است با 75 به توان دو ضربدر مقاومت درین سورس در 80 درجه که مقاومت درین سورس برابر است با حدود 1.4 برابر 8 میلی اهم یعنی 11.2 میلی اهم که توان ان میشود 75 به توان دو ضربدر 11.2 میلی که میشود63 وات--حال به محاسبه هیت سینک میپردازیم دمای محیط را 50 درجه در نظر میگیریم از رابطه مقاومت حرارتی داریم مجموع مقاومت حرارتی ها تا محیط برابر است با اختلاف دما تقسیم بر توان --------دمای مجاز نیمه هادی را با 20 درصد اطمینان محاسبه میکنیم 175 منهای 20 درصد ان میشود 140 درجه بنابراین اختلاف دمای نیمه هادی با محیط برابر است با 140-50=90 درجه-- مقاومت حرارتی نیمه هادی با بدنه +مقاومت بدنه با هیت سینک +مقاومت هیت سینک با محیط برابر است با 0.75+0.5+هیت سینک=1.25+هیت سینک حال داریم اختلاف دما تقسیم بر توان برابر مقاومت حرارتی ===>>>90 تقسیم بر 63=1.25+هیت سینک=======>>>1.43=1.25+هیت سینک------هیت سینک برابر است با 0.178 که این برای یک ماسفت است که هیت سینک خیلی بزرگی است.

سلام
برای مقاومت دمایی هیت سینکها با محیط هم منبعی وجود داره؟

[عباس جبراییلی]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

http://www.myheatsinks.com/calculate...nce-plate-fin/------------http://www.electronics-cooling.com/2...al-resistance/برای مقاومت دمایی هیت سینکها منبع وجود دارد ولی از انجایی که سازندگان مختلف از الیاژهای مختلفی برای ساخت ان استفاده میکنند دقت خوبی بدست نخواهید اورد مخصوصا در کشور ما که هیت سینکها از فلزات بازیافتی ساخته میشوند و مقدار الومینیوم موجود در هیت سینک نیز کم است لذا توصیه بر این است که خودتان مقدار انرا بدست اورید برای بدست اوردن مقاومت حرارتی هیت سینک چند مقاومت فلزی از ان رنگ طلایی هاو یا یک ماسفت را به هیت سینک به صورت مستقیم و با کمی خمیر سیلیکون بچسبانید--سپس منبع تغذیه ای را به ان وصل کنید و ولتاژ انرا تا حدی بالا ببرید که جریان عبور کننده از مدار توان مورد نظر شما را بسازد در مورد ماسفت هم میتوانید ولتاژ گیت را انقدر بالا ببرید که حاصل ضرب ولتاژ در جریان ان توان مورد نظر شما را بدهد.حال انقدر صبر کنید شاید حدود یک ساعت تا 1.5 ساعت تا هیت سینک به تعدل حراتی با محیط برسد---دمای هیت سینک نباید خیلی بالا و یا خیلی کم باشد زیرا در محاسبات دقت خوبی نخواهید داشت دمای بین 50 تا 60 درجه مقدار مطلوبی است.حال بعد از این مدت دمای هیت سینک را با یک ترمومتر به صورت تماسی اندازه بگیرید (ترمومتر ترموکوپلی بهترین است که اکثر اهمترها انرا دارند و کافی است مقداری خمیر سیلیکون به ان بمالید تا دمای هیت سینک را به خوبی اندازه بگیرد) بعد از ان دمای محیط را هم اندازه بگیرید تفاوت این دو دما را یادداشت نمایید.مقاومت حرارتی هیت سینک برابر است با حاصل تقسیم این اختلاف دما بر توان داده شدهلازم به ذکر است سطحی که هیت سینک قرار است روی ان گذاشته شود و جهت هیت سینک یعنی پره های ان رو به بالا یا پایین یا افقی یا عمودی در نتیجه اندزه گیری تاثیر زیادی دارد و بهتر است همانطوریکه به کار خواهد رفت در همان حالت اندازه گیری نمایید.

[seyyed abbas]

پاسخ : پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

شما باید برای گیت ولتاژ 15 وات در خروجی درایور داشته باشید برای تغذیه کنترلر هم میتوانید از یک رگولاتور 7809 استفاده نمایید.

ممنون استاد
متوجه شدم که باید گیتو با 15 ولت 0.6 آمپر تحریک کنم اما سوال من در مورد چگونگی تبدیل 11.1 ولت به 15 ولت 0.6 آمپر بود. ممنون می شم توضیح بدید آی سی خاصی داره یا باید مدار ببندیم؟

و در قسمت درایور ترانس انرا به صورت افزاینده بپیچید.

ترانس رو ازتون تو پیام خصوصی پرسیدم می پیچید؟ که فرمودین برای 1 دونه وقت نمی کنید. مشهد، ترانس بهزاد رو پیدا کردم که برام پیچید و بر اساس محاسبات نرم افزاری که کرده بود گفت 550 آر ام اس با خروجی 2.2 تا 2.5 آمپر به صورت مداوم و تا 5 آمپر به صورت لحظه ای (منظور از لحظه یعنی چند ثانیه ) رو بهم می ده با فرکانس 83 کیلو هرتز
طول و عرض هستش تقریبا 66 میلی متره
ترانس 2 سر ورودی و 2 سر خروجی داره
عکس ترانس: http://uplod.ir/bnflwxu05k6c/DSC00059.jpg.htm

ولی بهتر بود که کاربرد مدار را بیشتر توضیح میدادید.زیرا استفاده از فول بریج در ولتاژ پایین برای توان بالا توصیه نمیشود و بهتر است از پوش پول استفاده شود.

من روی پالس الکتریکی مارماهی تحقیق می کنم که می تونه تا 550 ولت 1 آمپر باشه. یک چیزی شبیه عکس های لینک زیر:
http://uplod.ir/1nrdjyrmhr2u/Fishs_Pulse.rar.htm
باید توی یک آکواریوم تقریبا 3 متری این پالس رو شبیه سازی کنم با پالس 550 آر ام اس و تقریبا 2 آمپر

زیرا استفاده از فول بریج در ولتاژ پایین برای توان بالا توصیه نمیشود و بهتر است از پوش پول استفاده شود.

آخه چرا پوش پول ؟؟؟؟؟
توی کتاب طراحی منابع تغذیه ی سوئیچینگ مارتی براون نوشته برای توان های بالاتر از 400 وات تا چند کیلو وات آرایش تمام پل باید استفاده شه
می دونم جریان خروجی تمام پل تقریبا 2 برابر نیم پله
یعنی من با این ترانس مشکل پیدا خواهم کرد؟ یا با درایورش؟ چه مشکلاتی؟

[عباس جبراییلی]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

صحبت من راجع به ترانس اصلی نیست راجع به ترانس درایور است که باید به صورت افزاینده بپیچید. و با استفاده از مدار توتم پل انرا درایو نمایید یعنی از خروجی پی دبیلیو ام به مدار توتم پل و از انجا به ترانس درایور و از خروجی ترانس درایور به گیت ماسفتها بدهید.------پوش پول بخاطر این است که سیم های اولیه ضخامت شان کمتر بوده و فضا برای سیم پیچی نیز بیشتر خواهد شد همچنین نسبت تبدیل ترانس نیز کمتر شده و در کل تلفات مسی نیز کمتر خواهد بود و راندمان بیشتر و علاوه بر اینها در مدار پل-- شما تلفات 4 سوییچ دارید و در پوش پول تلفات 2 سوییچ --برای توان بالا و ولتاژ پایین چون جریان زیاد خواهد شد تلفات مسی و تلفات سوییچ ها در مدار پوش پول کمتر از مدارهای دیگر خواهد بود.والا شما از همین مدار پل هم میتوانید استفاده کنید ولی راندمان کمتر از پوش پول خواهد بود.و همچنین شرایطی پیش میاید که در ولتاژ پایین و جریان بالا بیشتر ولتاژ تغذیه شما در دو سر سوییچها افتاده و عملا ولتاژ خیلی کمی به دو سر ترانس میرسد که تلفات به شدت زیاد خواهد بود و در ان شرایط شما مجبور به تغییر مدار به پوش پول خواهید بود.ویکی از ان شرایط استفاده از سوییچ نامناسب است که دارای مقاومت روشنی زیاد باشد.و یا افت ولتاژ ورودی به دلیل فاصله از منبع تغذیه--و یا افزایش مقاومت داخلی باطری تغذیه که باعث کاش ولتاژ مدار خواهد شد و ان هم باعث تلفات بیشتر در سوییچها زیرا در توان خروجی ثابت جریان بالاتر خواهد رفت......که فکر نمیکنم شما در این زمینه ها مشکلی داشته باشید...

[seyyed abbas]

پاسخ : پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

صحبت من راجع به ترانس اصلی نیست راجع به ترانس درایور است که باید به صورت افزاینده بپیچید. و با استفاده از مدار توتم پل انرا درایو نمایید یعنی از خروجی پی دبیلیو ام به مدار توتم پل و از انجا به ترانس درایور و از خروجی ترانس درایور به گیت ماسفتها بدهید.

مرسی
منظورتون همون چک های آبی، قرمز و .... هستش؟؟؟ یه چیزی مثل این: http://roboeq.ir/products/detail/چوک%20زرد/
ولی با نسبت دور متناسب کار من
کجا می تونم سفارش بدم برام بپیچن؟
اگه از باتری ای که ترانس فریت قدرت رو که عکسشو گذاشتم برای تحریک گیت ماسفت استفاده کنم به نظرتون مشکلی پیش نمیاد چون وقتی اون جریان صدو خرده ای آمپری رو می کشه فک کنم افت ولتاژ شدید می شه و برای تغذیه ی ترانس های درایور کم بشه

------پوش پول بخاطر این است که سیم های اولیه ضخامت شان کمتر بوده و فضا برای سیم پیچی نیز بیشتر خواهد شد همچنین نسبت تبدیل ترانس نیز کمتر شده و در کل تلفات مسی نیز کمتر خواهد بود و راندمان بیشتر و علاوه بر اینها در مدار پل-- شما تلفات 4 سوییچ دارید و در پوش پول تلفات 2 سوییچ --برای توان بالا و ولتاژ پایین چون جریان زیاد خواهد شد تلفات مسی و تلفات سوییچ ها در مدار پوش پول کمتر از مدارهای دیگر خواهد بود.

اولیه ی ترانسی که برای من پیچیده شده سیم پیچ نیست ... به خاطر عبور جریان بالا از ورق مس استفاده شده
تلفات سوییچ که تعداد سوییچ ها 2 برابره نسبت به پوش پول به قوت خودش می مونه
اما تلفات مسی با توجه به اینکه ورق استفاده شده به نظرتون چشمگیره برای کار من؟؟؟
در ضمن من هر بار نهایت 8 میلی ثانیه این ترانس فریت که عکسشو فرستادم روشن می کنم و بعدش حداقل 8 میلی ثانیه بش استراحت می دم و جریان کشی بصورت مداوم نیست

و همچنین شرایطی پیش میاید که در ولتاژ پایین و جریان بالا بیشتر ولتاژ تغذیه شما در دو سر سوییچها افتاده و عملا ولتاژ خیلی کمی به دو سر ترانس میرسد که تلفات به شدت زیاد خواهد بود و در ان شرایط شما مجبور به تغییر مدار به پوش پول خواهید بود.ویکی از ان شرایط استفاده از سوییچ نامناسب است که دارای مقاومت روشنی زیاد باشد.و یا افت ولتاژ ورودی به دلیل فاصله از منبع تغذیه--و یا افزایش مقاومت داخلی باطری تغذیه که باعث کاش ولتاژ مدار خواهد شد و ان هم باعث تلفات بیشتر در سوییچها زیرا در توان خروجی ثابت جریان بالاتر خواهد رفت......که فکر نمیکنم شما در این زمینه ها مشکلی داشته باشید...

انصافا به کارتون واردید :applause: آدم هایی مث شما باید همیشه زنده باشن که دنیارو آباد کنن
در این 3 مورد هم که با توجه به:
_پایین بودن مقاومت درین_سورس irf1404 (تو 150 درجه 6.5 میلی اهمه تقریبا )، افت ولتاژ روی هر شاخه از تمام پل رو تقریبا 0.4 ولت در نظر گرفتم که در هر مسیر 2 تا شاخه ی سری داریم که با این حساب می شه 0.8 ولت که فک کنم با توجه به لحظه ای بودن جریان کشی من منطقی باشه ... اگه منطقی نیست ممنون می شم راهنمایی بفرمایید
_فاصله ی منبع تغذیه ( باتری لیتیوم پلیمر) تا ترانس نهایت 20 سانتی متره که با کابل نمره 6 وصله
_مقاومت داخلی باتری پایینه، لیتیوم پلیمر 3 سل 2600 میلی آمپر 45C
2.6*45=117 آمپر بصورت مداوم می تونه جریان بده ... بصورت لحظه ای (کمتر از 10 ثانیه) بعضی از باتری ها تا 2 برابر نرخ تخلیه ( مثلا اینجا 90C ) رو می تونند بدن ولی نمی دونم این باتری می تونه یا نه؟ ولی فک کنم 8 میلی ثانیه رو بتونه ... مارک هاپریون ساخت کره هستش
که نتیجتا به قول شما در زمینه ی افت ولتاژ به نظر نمی رسه مشکلی پیش بیاد :nice:

با توجه به مفاهیم و محاسباتی که در مورد توان مرتبط با مقاومت حرارتی فرمودید، irf1404 با احتساب 150 درجه و 6.5 میلی اهم مقاوت درین سورس می تونه جریان 18.8 آمپر رو عبور بده
با این حساب در هر شاخه از 4 شاخه ی موجود در تمام پل 6 تا ماسفت رو موازی کنم به نظرتون مناسبه؟
با توجه به اینکه من هر بار 8 میلی ثانیه از ترانس جریان می کشم ( یعنی هربار به مدت 8 میلی ثانیه ترانس با فرکانس 83 کیلو روشن می شه بعدش حداقل 8 میلی ثانیه خاموش می شه) و بعید می دونم دمای ماسفت هام به 150 برسه

ممنون از وقتی که برای من و بقیه ی بچه های سایت می زارید استاد

[عباس جبراییلی]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

در لینک چوکی مشاهده نشد---در مورد تغذیه مدار هم قبلا صحبت شد---افت ولتاژ بیشتر از اینا خواهد بود حداقل 3 ولت زیرا شما اثر دما را در نظر نگرفته اید---جایی برای پیچیدن سراغ ندارم--قرار دادن 24 ماسفت در فول بریج روی برد کار اسانی نیست ولی اگر اصرار دارید که میتوانید باز هم مشکلی نخواهد بود--بهتر است دست بکار شوید تا بدانید که چه مشکلاتی خواهید داشت زیرا گاهی انسان میخواهد خودش تجربه کند و از تجربیات دیگران هم استفاده نکند--

[Koorush SPL]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

سلام استاد
داداش علت اصلی اینکه بجای یک مقاومت معادل برای چند گیت . باید روی هر گیت مجزا مقاومت قرار بدیم و گیت ها نباید اتصال مستقیم داشته باشن باهم چیه :eek:
خیلی وقته این برام سواله
البته چنتا حدسی زدم ولی هنوز مطمین نیسم
ممنون :job:

[seyyed abbas]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

سلام استاد
شرمنده باز مزاحم می شم
تو کتاب طراحی منابع تغذیه ی مارتی براون این 4 مدار درایور ماسفت بود:
http://uplod.ir/vcz673pqg3pq/img002.jpg.htm

می خواستم بدونم خازن C2 که در شکل مشخص کردم و با مقاومت موازی شده نقشش چیه و چطور ظرفیتش تعیین میشه؟
فک کنم برا حذف مولفه دی سی ترانس باشه ... البته شاید !
به نظرتون از TIP122 می تونم برا Q1 و Q2 استفاده کنم؟
ترانزیستور مناسب Q1 و Q2 چه پارامترهایی باید داشته باشه؟
برا ترانس هم می خوام هسته فریت 19*16 بگیرم خودم بپیچم ... 25 دور اولیه و 37 دور ثانویه با سیم 0.5

[عباس جبراییلی]

پاسخ : محاسبه جریان گیت Mosfet و IGBT

خازن شماره 2 را معمولا نمیگذارند ولی برای حذف دی سی نیستو در شرایطی که ولتاژ گیت دارای حالت نوسانی با پیک ولتاژ باشد گذاشته میشود مقدار ان هم حاصلضرب خازن گیت و مقاومت موازی با ان باید برابر خازن 2 و مقاومت موازی با ان باشد---ترانزیستورهای 1و 2 را فرکانس مدار شما تعیین میکند و حداقل باید دارای اف تیFt بیست برابر باشد.ولتاژ 10 ولت هم خیلی کم است و حداقل 12 ولت تا 15 ولت لازم است--هسته هم بستگی به فرکانس و جریان لازم دارد.